[实用新型]应用于化学气相沉积设备的射频偏压导电装置有效
申请号: | 202123428866.7 | 申请日: | 2021-12-31 |
公开(公告)号: | CN216808958U | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 丁庆慈;陈亮;李得平 | 申请(专利权)人: | 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505 |
代理公司: | 上海老虎专利代理事务所(普通合伙) 31434 | 代理人: | 葛瑛 |
地址: | 315100 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 化学 沉积 设备 射频 偏压 导电 装置 | ||
1.应用于化学气相沉积设备的射频偏压导电装置,其特征在于:包括铜棍本体(1)和基座(3),所述铜棍本体(1)在面向基座(3)的一端上设置有螺纹柱(2),所述基座(3)在面向螺纹柱(2)的一端内设置有螺纹槽(4);所述基座(3)包括椭圆部分和等腰部分,所述椭圆部分和等腰部分为平滑过度且一体成型结构,所述基座(3)上开设有三个通孔。
2.根据权利要求1所述的应用于化学气相沉积设备的射频偏压导电装置,其特征在于:所述铜棍本体(1)整体呈圆柱状结构。
3.根据权利要求1所述的应用于化学气相沉积设备的射频偏压导电装置,其特征在于:所述基座(3)在靠近铜棍本体(1)的一端横截面呈等腰部分且为等腰梯形结构;另一端为椭圆部分且为椭圆状结构。
4.根据权利要求1所述的应用于化学气相沉积设备的射频偏压导电装置,其特征在于:所述基座(3)上的三个通孔也呈等边三角形设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司,未经盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202123428866.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种便于使用的烧烤炉
- 下一篇:自动检测晶圆背面温度装置
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的