[实用新型]应用于化学气相沉积设备的射频偏压导电装置有效

专利信息
申请号: 202123428866.7 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN216808958U 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 丁庆慈;陈亮;李得平 申请(专利权)人: 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
主分类号: C23C16/505 分类号: C23C16/505
代理公司: 上海老虎专利代理事务所(普通合伙) 31434 代理人: 葛瑛
地址: 315100 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 应用于 化学 沉积 设备 射频 偏压 导电 装置
【权利要求书】:

1.应用于化学气相沉积设备的射频偏压导电装置,其特征在于:包括铜棍本体(1)和基座(3),所述铜棍本体(1)在面向基座(3)的一端上设置有螺纹柱(2),所述基座(3)在面向螺纹柱(2)的一端内设置有螺纹槽(4);所述基座(3)包括椭圆部分和等腰部分,所述椭圆部分和等腰部分为平滑过度且一体成型结构,所述基座(3)上开设有三个通孔。

2.根据权利要求1所述的应用于化学气相沉积设备的射频偏压导电装置,其特征在于:所述铜棍本体(1)整体呈圆柱状结构。

3.根据权利要求1所述的应用于化学气相沉积设备的射频偏压导电装置,其特征在于:所述基座(3)在靠近铜棍本体(1)的一端横截面呈等腰部分且为等腰梯形结构;另一端为椭圆部分且为椭圆状结构。

4.根据权利要求1所述的应用于化学气相沉积设备的射频偏压导电装置,其特征在于:所述基座(3)上的三个通孔也呈等边三角形设置。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司,未经盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202123428866.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top