[实用新型]一种光电二极管及光电二极管探测器有效
| 申请号： | 202123437530.7 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN216624292U | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 祁春超;樊堃;仇筱乐 | 申请（专利权）人： | 杭州海康威视数字技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/102;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 王剑 |
| 地址： | 310051 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光电二极管 探测器 | ||
1.一种光电二极管，其特征在于，所述光电二极管包括：
第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底具有相对的第一表面和第二表面；其中，所述第一导电类型衬底的第一表面所在的一侧为入光侧；
第一注入区，位于所述第一导电类型衬底中并自所述第一导电类型衬底的第二表面外露；所述第一注入区的材料为第二导电类型材料；
反射层，位于所述第一注入区背离所述第一导电类型衬底第二表面的一侧；
第二注入区，位于所述第一导电类型衬底中并位于所述第一注入区外围；所述第二注入区的材料为第一导电类型材料。
2.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述反射层呈平直状。
3.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述反射层的至少部分为向背离所述第一导电类型衬底的一侧凸起的弯曲状结构。
4.如权利要求3所述的光电二极管，其特征在于，所述反射层呈弓形状弯曲或球冠状弯曲。
5.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述反射层的尺寸与所述第一注入区的尺寸一致。
6.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述反射层为由不同光学厚度的高折射率材料层和低折射率材料层形成的多层介质反射层。
7.如权利要求6所述的光电二极管，其特征在于，所述高折射率材料层的材料为HfO2，所述低折射率材料层的材料为SiO2。
8.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述第一导电类型衬底的厚度范围为50μm-200μm。
9.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述光电二极管包括设于所述第一导电类型衬底第二表面外的第一电极线及第二电极线，所述第一电极线与所述第一注入区电连接；所述第二电极线与所述第二注入区电连接；
所述第一导电类型衬底的侧面设有与所述第一电极线连接的第一电极及与所述第二电极线连接的第二电极。
10.一种光电二极管探测器，其特征在于，所述光电二极管探测器包括多个如权利要求1至9中任一项所述的光电二极管，所述多个光电二极管呈阵列排布。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
