[实用新型]一种自倍频白光模组

说明书

本申请涉及一种自倍频白光模组，其包括自倍频晶体组，一组，包括晶体一和晶体二，晶体一产生666nm附近激光，晶体二产生520nm附近的激光；激光二极管，一个，所述激光二极管能够朝向自倍频晶体组发生光线；耦合镜，一个，设置于激光二极管和自倍频晶体组之间，耦合镜能够对通过耦合镜的光线进行耦合。本申请具有克服产生白光的装置较大的问题的效果。

技术领域

本申请涉及激光应用的领域，尤其是涉及一种自倍频白光模组。

背景技术

在现有技术中，白光LED通常采用两种方法形成，第一种是利用“蓝光技术”对荧光粉的激活而产生白光的技术，另一种是基于LED芯片的半导体技术产生白光，现有产生白光的技术已经广泛用于各种照明和显示领域。

针对上述中的相关技术，发明人认为LED芯片中使用芯片进行发光，且芯片易损，而蓝光激发荧光粉中使用荧光粉进行发光，且存在光电转换效率底的缺点，其中两者均存在光参积大，且尺寸较大，不方便携带。

实用新型内容

为了克服产生白光的装置较大的问题，本申请提供一种自倍频白光模组。

本申请提供的一种自倍频白光模组采用如下的技术方案：

一种自倍频白光模组，包括自倍频晶体组，一组，包括晶体一和晶体二，晶体一产生666nm附近激光，晶体二产生520nm附近的激光；激光二极管，一个，所述激光二极管能够朝向自倍频晶体组发生光线；耦合镜，一个，设置于激光二极管和自倍频晶体组之间，耦合镜能够对通过耦合镜的光线进行耦合。

通过采用上述技术方案，激光二机管发射出的激光，通过耦合镜进行耦合作业，实现光路的合并，光线聚焦进自倍频晶体组内，通过自倍频晶体组内晶体一进行能级转换，使晶体一能够产生666nm附近的激光，晶体二进行能级转换，使晶体二能够产生520nm附近的激光，最后666nm和520nm的激光向外射出，最终以白光的形式呈现在视野内，整个激光器采用的是泵浦激光二极管加耦合镜加自倍频晶体，无需复杂的聚焦系统和谐振腔设计，整体尺寸可以做的很小。

可选的，晶体一的入射面镀泵浦光790-820nm高透，1332nm基频光高反，520和666nm倍频光高反的膜；输出面镀泵浦光790-820nm高透，1332nm基频光高反，520和666nm倍频光高透的膜；晶体二的入射面镀泵浦光790-820nm高透，1040nm基频光高反，520和666nm倍频光高透的膜；输出面镀泵浦光790-820nm高反，1040nm基频光高反，520和666nm倍频光高透的膜。

通过采用上述技术方案，泵浦光790-820nm范围的光通过晶体一的入射面和输出面以及晶体二的入射面，给予晶体一和晶体二能够进行能级转换的能量，最后通过晶体二的输出面，将泵浦光790-820nm范围的光进行反射，使泵浦光790-820nm范围的光无法从晶体二的输出面排出；泵浦光进入晶体一后，晶体一获得能量，使晶体一内1332nm的基频光在晶体一的入射面和输出面之间进行反射，实现激光能级转换，成为666nm的倍频光从晶体一的输出面排出；泵浦光进入晶体二后，1040nm的基频光在晶体二的入射面和输出面之间进行反射，实现激光能级转换，成520nm的倍频光从晶体二的输出面排出，666nm和520nm的倍频光合并成完整的一束光，成为白光出现在视野内。

可选的，激光二极管可以是TO封装或C封装。

通过采用上述技术方案，用户使用时，通过不同的封装根据不同的配合不同的激光二极管内设进行使用，T0封装同轴线设置，更为稳定，C封装具有更好的热沉降温效果，适合功率更大的激光二极管。

可选的，晶体一和晶体二同轴线设置。

通过采用上述技术方案，需要将晶体一和晶体二同轴线设置，因光的传播为直线传播，如果光通过晶体一和晶体二不处于同一轴线，在光线的传播中，重合面积会越来越小，直至没有。

可选的，耦合镜可以是单耦合镜或双耦合镜。