[实用新型]一种新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构

说明书

本实用新型公开了一种新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构，包括A相半桥逆变电路、B相半桥逆变电路、C相半桥逆变电路、A相逆变电感L1、B相逆变电感L2、C相逆变电感L3及控制器，A相半桥逆变电路、B相半桥逆变电路及C相半桥逆变电路的控制端与控制器连接。本实用新型采用三相交错并联的方式，将三个逆变器集成到一个逆变器中，只需一个控制器控制，逻辑简单，控制性能更可靠，且电感感值变小，电感的体积重量都会大大减小，同时可有效减少输入电容的纹波。

技术领域

本实用新型涉及逆变器技术领域，具体的说，是涉及一种新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构。

背景技术

在大功率逆变器应用场景中，一般采用传统的逆变器并联设计方案，该方案需要三个独立的逆变器，逆变器之间需要进行有线并联，且需要三套控制器，存在成本高、占用系统体积大、并联逻辑复杂等缺点。

以上缺陷，有待改善。

实用新型内容

为了克服现有的技术的不足，本实用新型提供一种新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构。

本实用新型技术方案如下所述：

一种新型三相交错半桥逆变电路拓扑结构，包括A相半桥逆变电路、B相半桥逆变电路、C相半桥逆变电路、A相逆变电感L1、B相逆变电感L2、C相逆变电感L3及控制器，所述A相半桥逆变电路、所述B相半桥逆变电路、所述C相半桥逆变电路的输入端均并联在直流母线DC+/DC-两端，所述A相半桥逆变电路的输出端经过所述A相逆变电感L1后与负载端连接，所述B相半桥逆变电路的输出端经过所述B相逆变电感L2后与所述负载端连接，所述C相半桥逆变电路的输出端经过所述C相逆变电感L3后与所述负载端连接，所述A相半桥逆变电路、所述B相半桥逆变电路及所述C相半桥逆变电路的控制端与所述控制器连接。

根据上述方案的本实用新型，所述A相半桥逆变电路包括A相半桥逆变管Q1和A相半桥逆变管Q2，所述A相半桥逆变管Q1的集电极与所述直流母线DC+/DC-的正极连接，所述A相半桥逆变管Q2的发射极与所述直流母线DC+/DC-的负极连接，所述A相半桥逆变管Q1的发射极和所述A相半桥逆变管Q2的集电极经过所述A相逆变电感L1后与所述负载端连接，所述A相半桥逆变管Q1和所述A相半桥逆变管Q2的栅极与所述控制器连接。

进一步的，所述A相半桥逆变管Q1和所述A相半桥逆变管Q2为IGBT。

根据上述方案的本实用新型，所述B相半桥逆变电路包括B相半桥逆变管Q3和B相半桥逆变管Q4，所述B相半桥逆变管Q3的集电极与所述直流母线DC+/DC-的正极连接，所述B相半桥逆变管Q4的发射极与所述直流母线DC+/DC-的负极连接，所述B相半桥逆变管Q3的发射极和所述B相半桥逆变管Q4的集电极经过所述B相逆变电感L2后与所述负载端连接，所述B相半桥逆变管Q3和所述B相半桥逆变管Q4的栅极与所述控制器连接。

进一步的，所述B相半桥逆变管Q3和所述B相半桥逆变管Q4为IGBT。

根据上述方案的本实用新型，所述C相半桥逆变电路包括C相半桥逆变管Q5和C相半桥逆变管Q6，所述C相半桥逆变管Q5的集电极与所述直流母线DC+/DC-的正极连接，所述C相半桥逆变管Q6的发射极与所述直流母线DC+/DC-的负极连接，所述C相半桥逆变管Q5的发射极和所述C相半桥逆变管Q6的集电极经过所述C相逆变电感L3后与所述负载端连接，所述C相半桥逆变管Q5和所述C相半桥逆变管Q6的栅极与所述控制器连接。

进一步的，所述C相半桥逆变管Q5和所述C相半桥逆变管Q6为IGBT。

根据上述方案的本实用新型，还包括输入电容电路，所述A相逆变电感L1、所述B相逆变电感L2及所述C相逆变电感L3的输出端与所述输入电容电路连接后接到所述负载端。