[发明专利]一种晶体生长控制方法和系统

权利要求书

1.一种晶体生长控制方法，包括：

获取目标时间片内的实际晶体参数，其中，所述实际晶体参数包括实际晶体质量、实际晶体直径、实际晶体高度或实际晶体外形中的至少一个；

获取目标时间片内的参考晶体参数，其中，所述参考晶体参数包括参考晶体质量、参考晶体直径、参考晶体高度或参考晶体外形中的至少一个；

基于所述实际晶体参数和所述参考晶体参数，确定温度控制参数；

基于所述实际晶体参数和所述参考晶体参数，确定提拉控制参数；以及

分别基于所述温度控制参数和所述提拉控制参数，调节所述目标时间片之后的下一个时间片的温度和提拉速度。

2.如权利要求1所述的晶体生长控制方法，其中，所述获取目标时间片内的实际晶体参数包括：

基于所述实际晶体质量、原料熔融态密度以及腔体尺寸，确定所述目标时间片内的液面下降高度；

基于所述目标时间片内的提拉高度和所述液面下降高度，确定所述实际晶体高度；以及

基于所述实际晶体质量和所述实际晶体高度，确定所述实际晶体直径。

3.如权利要求1所述的晶体生长控制方法，其中，所述获取目标时间片内的参考晶体参数包括：

基于预设晶体参数或预设晶体生长参数中的至少一种，构建晶体生长模型；以及

基于所述晶体生长模型，确定所述目标时间片对应的所述参考晶体参数。

4.如权利要求3所述的晶体生长控制方法，其中，所述预设晶体参数包括晶体类型、预设晶体密度、预设晶体质量、预设籽晶高度、预设籽晶直径、预设肩部高度、预设等径高度、预设等径直径、预设尾部高度、预设晶尾高度、预设晶尾直径、预设肩部角度、预设尾部角度、籽晶和肩部前端的过渡夹角与肩部末端和等径前端的过渡夹角的比值中的至少一种。

5.如权利要求3所述的晶体生长控制方法，其中，所述预设晶体生长参数包括预设晶体生长速度或预设生长系数中的至少一种。

6.如权利要求3所述的晶体生长控制方法，其中，所述基于预设晶体参数，构建晶体生长模型包括：

基于所述预设晶体参数，通过三维建模方法构建所述晶体生长模型。

7.如权利要求1所述的晶体生长控制方法，其中，所述基于所述实际晶体参数和所述参考晶体参数，确定温度控制参数包括：

确定所述实际晶体参数和所述参考晶体参数的差异；

基于所述差异和参考晶体生长参数，确定所述温度控制参数。

8.如权利要求1所述的晶体生长控制方法，其中，所述基于所述实际晶体参数和所述参考晶体参数，确定提拉控制参数包括：

基于所述实际晶体质量、原料熔融密度以及腔体尺寸，确定所述目标时间片内的液面下降速度；以及

基于所述液面下降速度和参考晶体生长参数，确定所述提拉控制参数。

9.如权利要求1所述的晶体生长控制方法，其中，在所述获取目标时间片内的实际晶体参数之前，所述方法还包括：

加热腔体至预设温度；以及

检测到所述腔体内的温度稳定在所述预设温度预设时间后，自动下降籽晶。

10.如权利要求9所述的晶体生长控制方法，其中，所述方法还包括：

在自动下降籽晶过程中，持续检测所述籽晶重量；以及

若所述籽晶重量小于预设重量阈值，停止下降籽晶并发出提醒。

11.如权利要求9所述的晶体生长控制方法，其中，所述方法还包括：

获取籽晶下降过程中的实时图像；

将所述实时图像和预设参考图像进行比对；以及

根据比对结果，确定是否调整加热参数。

12.如权利要求1所述的晶体生长控制方法，其中，所述方法还包括：

在晶体生长完成后，通过控制所述温度控制参数或所述提拉控制参数，执行自动收尾。