[发明专利]用于异步多面独立(AMPI)存储读取操作的方法和系统

说明书

一种闪存存储器件包括：多个存储面，所述多个存储面均包含存储单元的阵列；主机接口，所述主机接口用于由外部主机访问多个存储面；以及控制器，所述控制器经由存储接口连接到多个存储面，并控制主机接口以用于访问多个存储面。控制器被配置为执行：在主机接口上从外部主机接收一个或多个命令；确定是否执行对应于命令的异步多面独立(AMPI)读取操作；并且在确定开始AMPI读取操作之后，根据命令并行访问存储面，并且使用基于提供给控制器的指示符信号所确定的命令的顺序来完成AMPI读取操作，以对应于在主机接口上接收到的命令的序列。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，并且具体地，涉及用于闪存存储芯片的异步多面独立(AMPI)读取操作的方法和系统。

背景技术

半导体存储器件已经越来越广泛地用于各种电子器件中。例如，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备和其他设备中。由这些设备使用的数据量也在迅速增加，这驱动了更大的闪存存储容量并推动了更快的速度。为了满足市场需求，NAND闪存技术正在迅速发展，并且NAND闪存芯片常常在封装级下封装有多个NAND管芯，以增加NAND闪存芯片的容量。正在开发增加访问NAND闪存芯片的速度的各种方式。

发明内容

在本公开的一个方面中，提供了闪存存储器件。所述闪存存储器件包括：多个存储面，所述多个存储面均包含存储单元的阵列；主机接口，所述主机接口用于由外部主机访问多个存储面；以及控制器，所述控制器经由存储接口连接到多个存储面，并控制主机接口以用于访问多个存储面。控制器被配置为执行：在主机接口上从外部主机接收一个或多个命令；确定是否执行对应于命令的异步多面独立(AMPI)读取操作；并且在确定开始AMPI读取操作之后，根据命令并行访问存储面，并且使用基于提供给控制器的指示符信号所确定的命令的顺序来完成AMPI读取操作，以对应于在主机接口上接收到的命令的序列。

根据本公开的实施例，控制器还被配置为执行：当确定未开始AMPI读取操作时，按常规操作串行处理命令。

根据本公开的实施例，控制器包括：多个移位寄存器，其中，每个移位寄存器对应于存储面中的一个并且具有预定数量的位的长度，并且移位寄存器的非零位选择性地指示命令是否正在等待对应的存储面和/或非对应的存储面；信号生成电路，所述信号生成电路耦合到多个移位寄存器并接收来自多个移位寄存器的输出以生成指示符信号；以及处理微控制器，所述处理微控制器被配置为接收指示符信号并控制移位寄存器和信号生成电路，其中，指示符信号是多位异步面信号，指示符信号的每个位对应于存储面中的一个，并且指示符信号中的非零位指示用于对应的存储面的命令将被完成。

根据本公开的实施例，当命令用于单独的存储面时，处理微控制器确定开始AMPI读取操作。

根据本公开的实施例，移位寄存器最初被复位为第一数据状态，在从外部主机接收到命令之后，当确定命令用于对应于移位寄存器的存储面时，移位寄存器被设置为第二数据状态，并且当确定命令是不对应于移位寄存器的存储面时，移位寄存器被左移1位。

根据本公开的实施例，信号生成电路将来自移位寄存器的输出中的每个输出的一位组合，以形成用于所述位的指示符信号，所述指示符信号从最高有效位(MSB)开始到最低有效位(LSB)以设置命令的顺序。

根据本公开的实施例，信号生成电路包括连接到对应的移位寄存器的输出的多个选择器，每个选择器被个体地控制以输出对应的移位寄存器的输出或0从而形成指示符信号。

根据本公开的实施例，移位寄存器的预定数量的位的长度指示能够被处理用于AMPI读取操作的等待命令的最大数量。

根据本公开的实施例，移位寄存器的预定数量的位的长度为4。

根据本公开的实施例，存储面的总数为4；移位寄存器的总数为4；并且指示符信号为4位信号。

根据本公开的实施例，主机接口是开放式NAND闪存接口(ONFI)。