[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

第一氮化物半导体层，在所述衬底上方；

第二氮化物半导体层，形成于所述第一氮化物半导体层上，且具有的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙；

碳氮化物半导体层，在所述衬底和所述第一氮化物半导体层之间，且包括分散的多个段，其用以减少或防止从所述衬底向所述第一氮化物半导体层的错位的传播或扩散；以及

缓冲层，在所述衬底和所述第一氮化物半导体层之间，其中所述碳氮化物半导体层的至少一部分位于所述缓冲层和所述第一氮化物半导体层之间。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述碳氮化物半导体层与所述第一氮化物半导体层接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述碳氮化物半导体层中的碳浓度大于所述缓冲层中的碳浓度。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述缓冲层包含杂质，且所述杂质包含碳、铁、镁或其组合。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述碳氮化物半导体层包括多个碳氮化物半导体子层，且所述碳氮化物子层中的至少一个在所述缓冲层内。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层还包括多个缓冲子层，在所述衬底和所述第一氮化物半导体层之间；

其中，所述碳氮化物半导体层包括位于所述多个缓冲子层之间的多个碳氮化物子层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述碳氮化物半导体层包含CN、GaCN、SiInCN、SiCN、SiGaCN或其组合。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

第一氮化物半导体层，在所述衬底上方；

第二氮化物半导体层，形成在所述第一氮化物半导体层上，且其具有的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙；

缓冲层，在所述衬底和所述第一氮化物半导体层之间；以及

错位减少层，包括碳氮化物，所述错位减少层在所述衬底和所述第一氮化物半导体层之间，其中错位减少层的一部分邻近所述缓冲层和所述第一氮化物半导体层的界面，且所述错位减少层包括分散在所述缓冲层中的多个段。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，其中所述缓冲层具有等于或大于10⁵Ω/□的片电阻。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，其中所述错位减少层位于所述第一氮化物半导体层的一部分内。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，其中所述错位减少层与所述缓冲层接触。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，其中所述错位减少层中的碳浓度大于所述缓冲层中的碳浓度。

13.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，其中所述错位减少层包括：

第一子层，与所述缓冲层和所述第一氮化物半导体层接触。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，其中所述错位减少层还包括：

第二子层，在所述缓冲层中，且通过所述缓冲层与所述衬底隔开。