[发明专利]半导体器件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

衬底，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；

第一氮化物半导体层，设置在所述衬底的所述第一表面上；

第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层上且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙；

栅极电极，设置在所述第二氮化物半导体层上；

第一电极，设置在所述第二氮化物半导体层上；

第一通孔，从所述第二表面延伸并电性连接到所述第一电极；以及

第二通孔，从所述第二表面延伸，其中所述第一通孔的深度小于所述第二通孔的深度。

2.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括：

介电层，设置在所述第二氮化物半导体层上并覆盖所述栅极电极，其中所述第二通孔穿透所述介电层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，其中所述第二通孔的材料不同于所述第一通孔的材料。

4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，其中所述第二氮化物半导体层包括在所述第一电极和所述第一通孔之间的第一部分。

5.根据权利要求4所述的半导体器件结构，其特征在于，其中所述第二氮化物半导体层包括在所述栅极电极和所述衬底之间的第二部分，且所述第一部分的第一厚度小于所述第二部分的第二厚度。

6.根据权利要求4所述的半导体器件结构，其特征在于，其中所述第一通孔包括与所述第二氮化物半导体层的所述第一部分接触的第一势垒调整层。

7.根据权利要求6之半导体器件结构，其特征在于，其中所述第一势垒调整层包含氮化硅或氮化铝。

8.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其特征在于，其中所述第一通孔包括在所述第一势垒调整层上的第二势垒调整层。

9.根据权利要求8之半导体器件结构，其特征在于，其中所述第二势垒调整层包含钛或氮化钛。

10.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

第一电子组件，其具有主动表面和与所述主动表面相对的背面；

第二电子组件，电性连接到所述第一电子组件，且具有面向所述第一电子组件的所述背面的主动表面，其中，所述第一电子组件包括：

衬底，相邻于所述第一电子组件的所述背面；

第一氮化物半导体层，设置在所述衬底上；

第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层上且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙；

栅极电极，设置在所述第二氮化物半导体层上；

第一电极，设置在所述第二氮化物半导体层上；以及

第一通孔，从所述第一电子组件的所述背面延伸并电性连接到所述第一电子组件的所述第一电极和所述第二电子组件；以及

电路板，设置在所述第一电子组件的所述主动表面上，其中所述第一电子组件包括从所述背面向所述第一电子组件的所述主动表面延伸的第二通孔，且所述第二电子组件通过所述第二通孔电性连接到所述电路板，其中所述第一电子组件包括所述背面向所述第一电子组件的所述主动表面延伸的第三通孔，所述第二电子组件包括栅极电极、第一电极和第二电极，其中所述第二电子组件的所述栅极电极通过所述第二通孔与所述电路板电性连接，所述第二电子组件的所述第一电极通过所述第三通孔与所述电路板电性连接，所述第二电子组件的所述第二电极通过所述第一通孔电性连接到所述第一电子组件的所述第一电极。

11.根据权利要求10所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括：

第一端子，设置在所述第一电子组件和所述第二电子组件之间。

12.根据权利要求11所述的半导体器件结构，其特征在于，其中所述第一端子与所述第一通孔垂直地对齐。