[发明专利]三维存储器器件擦除操作

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器器件，包括：

多个存储器层和在所述多个存储器层之间的虚设存储器层；

NAND存储器串，所述NAND存储器串延伸穿过所述存储器层和所述虚设存储器层，所述NAND存储器串包括源极、漏极和在与所述多个存储器层的交叉处并且在所述源极与所述漏极之间的多个存储器单元；以及

外围电路，所述外围电路被配置为擦除所述多个存储器单元，其中，为了擦除所述多个存储器单元，所述外围电路包括字线驱动电路，所述字线驱动电路被配置为：在所述虚设存储器层上施加正偏置电压，并且

其中，所述NAND存储器串还包括漏极选择栅极(DSG)，并且所述外围电路还包括漏极选择栅极线驱动电路，所述漏极选择栅极线驱动电路被配置为：在擦除所述多个存储器单元的操作中，在所述漏极选择栅极上施加正漏极选择栅极电压，所述正漏极选择栅极电压低于或等于所述正偏置电压，并且

其中，所述NAND存储器串还包括在所述漏极选择栅极与所述多个存储器层之间的虚设漏极选择栅极，其中，所述外围电路还包括虚设漏极选择栅极线驱动电路。

2.根据权利要求1所述的三维存储器器件，其中，所述字线驱动电路还被配置为在所述多个存储器层上施加地电压。

3.根据权利要求1或2所述的三维存储器器件，其中，所述多个存储器层被划分为第一存储器层面和在所述第一存储器层面上方的第二存储器层面，并且其中，所述虚设存储器层在所述第一存储器层面与所述第二存储器层面之间。

4.根据权利要求1-2中的任何一项所述的三维存储器器件，其中

所述虚设存储器层包括连续地布置的多个虚设存储器层；并且

所述正偏置电压包括分别施加在所述多个虚设存储器层上的在相同正值处的多个正偏置电压。

5.根据权利要求1-2中的任何一项所述的三维存储器器件，包括：

源极线驱动电路，所述源极线驱动电路被配置在所述NAND存储器串的所述源极上施加正源极线电压；以及

位线驱动电路，所述位线驱动电路被配置为在所述NAND存储器串的所述漏极上施加正位线电压，其中，所述虚设存储器层上的所述正偏置电压低于所述正源极线电压和所述正位线电压。

6.根据权利要求5所述的三维存储器器件，其中

所述正源极线电压和所述正位线电压均在20V到25V之间；并且

所述正偏置电压在12V到20V之间。

7.根据权利要求5所述的三维存储器器件，其中，所述正源极线电压和所述正位线电压具有相同值。

8.根据权利要求5所述的三维存储器器件，其中，所述正漏极选择栅极电压低于所述正源极线电压和所述正位线电压中的每一个。

9.根据权利要求5所述的三维存储器器件，其中，所述NAND存储器串还包括源极选择栅极(SSG)，并且所述外围电路还包括源极选择栅极线驱动电路，所述源极选择栅极线驱动电路被配置为：

在所述源极选择栅极上施加正源极选择栅极电压，所述正源极选择栅极电压(i)低于或等于所述正偏置电压，并且(ii)低于所述正源极线电压和所述正位线电压中的每一个。

10.根据权利要求8所述的三维存储器器件，其中，所述正漏极选择栅极电压在10V到16V之间。

11.根据权利要求9所述的三维存储器器件，其中，所述正源极选择栅极电压在10V到16V之间。

12.根据权利要求8所述的三维存储器器件，其中，所述虚设漏极选择栅极线驱动电路被配置为：

在虚设漏极选择栅极上施加虚设漏极选择栅极电压，所述虚设漏极选择栅极电压在0V到10V之间。