[发明专利]电化学装置及电子装置

权利要求书

1.一种电化学装置，包括正极极片及负极极片，所述负极极片包括负极集流体及设置于所述负极集流体表面的负极活性物质层；其特征在于，

所述负极活性物质层包括活性材料层及位于所述活性材料层表面的含锂层；所述活性材料层包括SiOC材料及石墨。

2.根据权利要求1所述的电化学装置，其特征在于，所述含锂层包含稳定锂金属粉末。

3.根据权利要求1所述的电化学装置，其特征在于，其满足以下特征(1)至(4)中的至少一者：

(1)通过X射线衍射法对所述负极活性物质层进行分析得到的Si2p谱中，Si2p的结合能峰位包括101.4eV±0.3eV、102.2eV±0.3eV、103.1eV±0.3eV、104.40eV±0.3eV中的至少一种；

(2)通过X射线衍射法对所述负极活性物质层进行分析得到Li的结合能峰位在55.6eV±0.3eV之间；

(3)通过X射线衍射法对所述负极活性物质层进行分析，所述负极活性物质层具有Li₂₂Si衍射峰、Li₂₂Ge衍射峰、Li₂₂Sn衍射峰、Li₂O衍射峰、Li₂SiO₃衍射峰或Li₂Si₂O₅衍射峰中的至少一种；

(4)通过固体核磁共振技术对所述负极活性物质层进行分析得到Si的化学位移值，Si的化学位移值包括-5ppm±1ppm、-35ppm±1ppm、-75ppm±1ppm与-100ppm±1ppm，且Si在-5ppm±1ppm处的化学位移峰的半峰宽K满足以下关系：7ppmK28ppm。

4.根据权利要求2所述的电化学装置，其特征在于，其满足以下特征(5)至(9)中的至少一者：

(5)所述SiOC材料与石墨的混合粉末的中值粒径为R₁ um，R₁的取值范围为0.01至50；

(6)所述稳定锂金属粉末的中值粒径为R₂ um，R₂的取值范围为0.1至20；

(7)所述活性材料层的厚度为D₁ um，D₁的取值范围为40至150；

(8)所述含锂层的厚度为D₂ um，D₂的取值范围为2至20；

(9)当所述电化学装置在满充状态下，通过X射线衍射法，所述负极活性物质层具有Li₁₅Si₄的衍射峰。

5.根据权利要求2所述的电化学装置，其特征在于，其满足以下特征(10)至(11)中的至少一者：

(10)所述稳定锂金属粉末的中值粒径R₂与所述混合粉末的中值粒径R₁的比值范围满足：0.01≤R₂/R₁≤1；

(11)所述活性材料层的厚度D₁与所述含锂层的厚度D₂的比值范围满足：2≤D₁/D₂≤20。

6.根据权利要求2所述的电化学装置，其特征在于，其满足以下特征(12)至(14)中的至少一者：

(12)所述SiOC材料与所述石墨的质量比为5:95至45:55；

(13)所述SiOC材料与所述石墨的总质量与所述稳定锂金属粉末的质量比为1.99至9；

(14)所述石墨包括天然石墨、人造石墨、中间相碳微球中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的电化学装置，其特征在于，其满足以下特征(15)至(16)中的至少一者：

(15)所述负极活性物质层的粉末电导率为2.0S/cm至30.0S/cm；

(16)所述负极活性物质层的电阻的取值范围为0.2Ω至1.0Ω。