[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一氮基半导体层；

第二氮基半导体层，设置于所述第一氮基半导体层上，且其具有的带隙大于所述第一氮基半导体层的带隙，其中，所述第一以及第二氮基半导体层共同具有有源部分以及电绝缘部分，并且所述电绝缘部分围绕所述有源部分形成界面；

一对第一电极，设置于所述第二氮基半导体层上；

第二电极，设置于所述第二氮基半导体层上且在所述第一电极之间；

掺杂的氮基半导体层，设置于所述第二氮基半导体层上且在所述第一电极之间且围绕所述第二电极；以及

一对栅极电极，设置于所述掺杂的氮基半导体层上，且位于所述第二电极的彼此相对的两侧。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述掺杂的氮基半导体层覆盖所述有源部分的第一区域，且所述第一区域与所述电绝缘部分的边界分离。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第二电极覆盖所述有源部分的第二区域，所述有源部分还具有第三区域，所述第三区域被所述第一区域围绕且环绕所述第二区域。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述掺杂的氮基半导体层具有外侧壁，且整个所述外侧壁在所述第二氮基半导体层上的垂直投影在所述有源部分内。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，其中所述掺杂的氮基半导体层还具有内侧壁，所述内侧壁与所述外侧壁完全地分离，使得所述掺杂的氮基半导体层成为在所述第二氮基半导体层上的闭环图案。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，其中整个所述外侧壁在所述第二氮基半导体层上的所述垂直投影被所述有源部分和所述电绝缘部分之间的界面隔开。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第二电极具有朝向所述掺杂的氮基半导体层的内侧壁的一对端表面。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第二电极具有一对侧表面，所述侧表面分别位于所述端表面之间并且朝向所述栅极电极，并且所述侧表面朝向所述掺杂的氮基半导体层的所述内侧壁。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第一、所述第二电极以及所述栅极电极为多个条带，所述条带沿着第一方向延伸并沿着第二方向设置，所述第一方向与所述第二方向不同，并且所述掺杂的氮基半导体层包括一对连接部分，所述连接部分沿着所述第二方向延伸并沿着所述第一方向设置。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

钝化层，覆盖所述第二氮基半导体层、所述掺杂的氮基半导体层和所述第二电极，其中所述钝化层的一部分分别与所述掺杂的氮基半导体层的内侧壁和所述第二电极的端表面形成多个界面。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第一电极的至少一个比所述第二电极更靠近所述电绝缘部分。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第一电极的至少一个比所述掺杂的氮基半导体层更靠近所述电绝缘部分，并且所述掺杂的氮基半导体层比所述第二电极更靠近所述电绝缘部分。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

保护层，覆盖所述第二氮基半导体层和所述掺杂的氮基半导体层，并且位于所述掺杂的氮基半导体层和所述栅极电极之间。