[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一氮基半导体层；

第二氮基半导体层，设置于所述第一氮基半导体层上，且其具有的带隙大于所述第一氮基半导体层的带隙，其中，所述第一以及第二氮基半导体层共同具有有源部分以及电绝缘部分，并且所述电绝缘部分围绕所述有源部分形成界面；

一对第一电极，设置于所述第二氮基半导体层上；

一对掺杂的氮基半导体层，设置于所述第二氮基半导体层上以及在所述第一电极之间，其中所述掺杂的氮基半导体层彼此分离；

第二电极，设置于所述第二氮基半导体层上以及在所述掺杂的氮基半导体层之间，其中每一个所述掺杂的氮基半导体层中具有第一侧表面，所述第一侧表面背对第二电极且与所述界面隔开；以及

一对栅极电极，分别设置于所述掺杂的氮基半导体层上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述电绝缘部分具有至少一对凹陷以接收所述有源部分，并且所述掺杂的氮基半导体层延伸以部分地覆盖所述接收的有源部分。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第一侧表面与所述界面以第一垂直间距以及第二垂直间距隔开，且所述第二垂直间距大于所述第一垂直间距。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述掺杂的氮基半导体层具有彼此面对的第二侧表面，并且所述第二侧表面比所述第一侧表面更接近所述界面。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，其中所述界面的一部分从所述第二侧表面中的其中一个延伸至所述第二侧表面中的其中另一个。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第二侧表面与所述界面部分地对齐。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中每一个所述掺杂的氮基半导体层中还具有一对端表面，所述端表面与所述界面对齐。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中沿着所述第二氮基半导体层的法线方向观看，所述第一以及第二电极为多个第一条带，且所述多个第一条带沿着第一方向延伸且沿着与所述第一方向不同的第二方向排列。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，其中沿着所述第二氮基半导体层的法线方向观看，所述掺杂的氮基半导体层为多个第二条带，且所述多个第二条带沿着所述第一方向延伸且沿着与所述第一方向不同的第二方向排列，并且所述第二条带比所述第一条带长。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中沿着所述第二氮基半导体层的法线方向观看，所述第二电极共同被所述掺杂的氮基半导体层的所述界面以及边界围绕。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

多个保护层，设置于所述第二氮基半导体层以及所述掺杂的氮基半导体层之上，其中所述第一侧表面的一些部分被所述保护层覆盖。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，其中每一个所述保护层从所述有源部分延伸至对应的所述掺杂的氮基半导体层的顶表面。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，其中所述保护层具有与所述界面对齐的边界。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，其中每一个所述保护层位于所述掺杂的氮基半导体层以及所述栅极电极之间。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述电绝缘部分掺杂氮离子、氟离子、氧离子、氩原子、铝原子或其组合。