[发明专利]存储器器件及其编程操作有效
申请号: | 202180001813.0 | 申请日: | 2021-06-02 |
公开(公告)号: | CN113490984B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 万维俊 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/14;G11C5/06 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 林锦辉;刘景峰 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 器件 及其 编程 操作 | ||
1.一种存储器器件,包括:
存储器单元阵列,所述存储器单元阵列在多个列和多个行中,每个存储器单元被配置为以2N个电平中的一个电平存储N位数据的片段,其中,N是大于1的整数;
多条字线,所述多条字线分别耦合到所述存储器单元的行;
多条位线,所述多条位线分别耦合到所述存储器单元的所述列;以及
外围电路,所述外围电路通过所述位线和所述字线耦合到所述存储器单元阵列,并且被配置为基于当前数据页对所述存储器单元的所述行中的选择行进行编程,所述外围电路包括分别耦合到所述位线的多个页缓冲器电路,每个页缓冲器电路包括:
一个高速缓存存储单元,所述一个高速缓存存储单元被配置为在基于所述当前数据页对所述选择行进行编程时,依次接收所述当前数据页的N个位以及下一数据页的N个位,并且依次存储所述当前数据页的所述N个位中的一位以及所述下一数据页的所述N个位中的每一位;
一个多用途存储单元,所述一个多用途存储单元被配置为在基于所述当前数据页对所述选择行进行编程时,依次存储非数据页信息以及所述下一数据页的所述N个位中的一位;以及
N-1个数据存储单元,每个数据存储单元被配置为在基于所述当前数据页对所述选择行进行编程时,存储所述当前数据页的所述N个位中的相应的一位。
2.根据权利要求1所述的存储器器件,其中,所述非数据页信息包括施加到相应的位线的电压电平。
3.根据权利要求1所述的存储器器件,其中,为了基于所述当前数据页对所述选择行进行编程,所述外围电路被配置为依次以所述2N个电平中的2N-1个电平验证所述选择行。
4.根据权利要求3所述的存储器器件,其中,所述高速缓存存储单元被配置为:
在以所述2N个电平中的倒数第N个电平进行验证之前,存储所述当前数据页的所述N个位中的所述一位;并且
在以所述2N个电平中的最后N个电平中的相应的一个电平进行验证之后,依次存储所述下一数据页的所述N个位中的每一位。
5.根据权利要求3所述的存储器器件,其中,所述多用途存储单元被配置为:
在以所述2N个电平中的最后一个电平进行验证之前,存储所述非数据页信息;并且
在以所述2N个电平中的所述最后一个电平进行验证之后,存储所述下一数据页的所述N个位中的所述一位。
6.根据权利要求3-5中的任何一项所述的存储器器件,其中,所述数据存储单元中的至少一个被配置为依次存储所述当前数据页的所述N个位中的所述相应的一位以及所述下一数据页的所述N个位中的相应的一位。
7.根据权利要求6所述的存储器器件,其中,所述数据存储单元中的所述至少一个中的一个被配置为:
在以所述2N个电平中的倒数第(N-1)个电平进行验证之前,存储所述当前数据页的所述N个位中的所述相应的一位;并且
在以所述2N个电平中的所述倒数第(N-1)个电平进行验证之后,存储所述下一数据页的所述N个位中的所述相应的一位。
8.根据权利要求3-5以及7中的任何一项所述的存储器器件,其中,所述外围电路还包括字线驱动器,所述字线驱动器耦合到所述字线并且被配置为:
在耦合到所述选择行的所述字线中的选择字线上施加编程电压;并且
依次在所述选择字线上施加2N-1个验证电压,所述2N-1个验证电压对应于所述2N个电平中的所述2N-1个电平。
9.根据权利要求1-5以及7中的任何一项所述的存储器器件,其中,所述高速缓存存储单元、所述多用途存储单元和所述数据存储单元中的每一个包括锁存器。
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