[发明专利]一种提高金属导电性能的复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种提高金属导电性能的复合材料，其特征在于，所述复合材料由n个A-B-A结构复合而成，其中，所述A为石墨烯碎片层，所述B为金属箔层，所述n为大于等于2的整数；所述石墨烯碎片层包括均匀平铺在所述金属箔层上的石墨烯碎片；

每个所述石墨烯碎片的面积均介于50-1000μm²之间，相邻所述石墨烯碎片之间的距离均介于5-20μm之间。

2.如权利要求1所述的提高金属导电性能的复合材料，其特征在于，所述石墨烯碎片为在断裂前是单层、双层或多层的未化学修饰过的石墨烯。

3.如权利要求1所述的提高金属导电性能的复合材料，其特征在于，所述石墨烯碎片在所述复合材料中所占的质量分数为0.0004％-0.07％，或所述石墨烯碎片在所述复合材料中所占的体积分数为0.001％-0.05％。

4.如权利要求1所述的提高金属导电性能的复合材料，其特征在于，所述金属箔层选自常规的导电金属材料。

5.如权利要求1所述的提高金属导电性能的复合材料，其特征在于，所述金属箔层选自银、铜、铝、镁以及它们的合金或复合材料中的至少一种。

6.如权利要求1所述的提高金属导电性能的复合材料，其特征在于，所述金属箔层的厚度为10-50μm。

7.一种提高金属导电性能的方法，其特征在于，将n个A-B-A结构复合成复合材料，其中所述A为石墨烯碎片层，所述B为金属箔层，所述n为大于等于2的整数；所述石墨烯碎片层包括均匀平铺在所述金属箔层上的石墨烯碎片；

将每个所述石墨烯碎片的面积均设置于50-1000μm²之间，将相邻所述石墨烯碎片之间的距离均设置于5-20μm之间。

8.如权利要求7所述的提高金属导电性能的方法，其特征在于，采用CVD法将石墨烯沉积在金属箔层的上下面，随后采用拉伸的方式使石墨烯均匀断裂成石墨烯碎片从而形成所述A-B-A结构，将所述n个A-B-A结构通过热压方式形成所述复合材料。