[发明专利]三维存储器装置及其形成方法在审
申请号: | 202180003193.4 | 申请日: | 2021-09-13 |
公开(公告)号: | CN113950743A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 谢炜;王迪;赵婷婷;周文犀 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11582 | 分类号: | H01L27/11582 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 林锦辉;刘景峰 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 存储器 装置 及其 形成 方法 | ||
1.一种三维(3D)存储器装置,包括:
堆叠结构,包括核心区和阶梯区;
沟道结构,在所述核心区中延伸穿过所述堆叠结构;以及
第一支撑结构,在所述阶梯区中延伸穿过所述堆叠结构,
其中,所述第一支撑结构包括沿第一方向延伸的第一部分和沿垂直于所述第一方向的第二方向从所述第一部分突出的第二部分。
2.根据权利要求1所述的3D存储器装置,其中,所述第一支撑结构位于所述3D存储器装置的两个块之间。
3.根据权利要求1所述的3D存储器装置,还包括第二支撑结构,其中,所述第二支撑结构包括布置成二维阵列的一组块形状支撑结构。
4.根据权利要求3所述的3D存储器装置,其中,所述第二支撑结构位于同一存储块内。
5.根据权利要求3所述的3D存储器装置,其中,所述块形状支撑结构中的至少一个具有方形形状、矩形形状或L形形状中的一种。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的3D存储器装置,其中,所述第一支撑结构的所述第二部分包括从所述第一支撑结构的所述第一部分的两个相对侧突出的多个弯曲部分。
7.根据权利要求6所述的3D存储器装置,其中,所述多个弯曲部分沿所述第一支撑结构的所述第一部分的所述两个相对侧成对地对准。
8.根据权利要求6或7所述的3D存储器装置,其中,相邻的两个弯曲部分之间沿所述第一方向具有相同的距离。
9.根据权利要求6-8中任一项所述的3D存储器装置,其中,弯曲部分的半径介于所述第一部分在所述第二方向上的宽度的1/4与所述第一部分在所述第二方向上的所述宽度的两倍之间。
10.根据权利要求6-8中任一项所述的3D存储器装置,其中,相邻两个弯曲部分的边缘之间的距离介于所述第一部分在所述第二方向上的宽度的1/6与所述第一部分在所述第二方向上的所述宽度的三倍之间。
11.根据权利要求6-10中任一项所述的3D存储器装置,其中,每个所述弯曲部分具有相同的形状。
12.根据权利要求6-11中任一项所述的3D存储器装置,其中,每个所述弯曲部分具有圆形的一部分的形状。
13.根据权利要求6-11中任一项所述的3D存储器装置,其中,每个所述弯曲部分具有椭圆的一部分的形状。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的3D存储器装置,还包括沿所述第一方向间断地延伸的多个栅缝隙,其中,所述多个栅缝隙位于所述3D存储器装置的同一存储块中。
15.一种三维(3D)存储器装置,包括:
堆叠结构,包括核心区和阶梯区;
沟道结构,在所述核心区中延伸穿过所述堆叠结构;以及
第一支撑结构,在所述阶梯区中延伸穿过所述堆叠结构,
其中,所述第一支撑结构在平面视图中具有嵌珠条带形状。
16.根据权利要求15所述的3D存储器装置,其中,所述第一支撑结构包括沿第一方向延伸的一个伸长的中央条带。
17.根据权利要求16所述的3D存储器装置,其中,所述第一支撑结构还包括沿所述伸长的中央条带成对地对准的一个或多个珠。
18.根据权利要求17所述的3D存储器装置,其中,所述一个或多个珠具有相同的形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的