[发明专利]三维NAND存储器器件及其形成方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在衬底之上形成由交替的绝缘层和牺牲层构成的堆叠体；

在所述堆叠体中形成具有多个台阶的阶梯，所述多个台阶中的每一个具有横板和竖板并且还包括相应台阶的相应对的绝缘层和牺牲层，所述牺牲层位于所述绝缘层之上；

沿所述多个台阶的所述横板和所述竖板形成电介质层，所述电介质层掺杂有碳、磷、硼、砷和氧中的一种或者它们的组合；

利用导电材料替代所述牺牲层，以形成布置在所述绝缘层之间的字线层；以及

形成从所述多个台阶的所述字线层延伸并且还延伸穿过所述电介质层的多个字线触点。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，替代所述牺牲层还包括：

去除所述牺牲层，以形成位于所述牺牲层之间的空间；以及

在所述空间中填充所述导电材料，以形成位于所述绝缘层之间的所述字线层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，替代所述牺牲层还包括：

去除所述牺牲层和所述电介质层的与所述牺牲层接触的部分，以形成位于所述绝缘层之间的空间；以及

在所述空间中填充所述导电材料，以形成位于所述绝缘层之间的所述字线层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述多个台阶中的每一个中：

所述字线层与所述绝缘层相比在平行于所述衬底的方向上还延伸至所述电介质层中，并且

所述字线层的被所述多个台阶中的上覆台阶的所述绝缘层覆盖的部分具有比所述字线层在横板处的部分更小的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述电介质层还包括：

形成掺杂有碳、磷、硼、砷和氧中的一种或者它们的组合的SiN层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述电介质层还包括：

通过包括四甲基硅烷和NH₃的处理气体形成掺杂有碳的SiN层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述电介质层还包括：

通过包括SiH₄和N₂O的处理气体形成掺杂有氧的SiN层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个字线触点中的每一个从所述多个台阶的所述横板处的相应字线层延伸，并且在垂直于所述衬底的方向上还延伸穿过所述电介质层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，替代所述牺牲层还包括：

通过蚀刻工艺去除所述牺牲层，所述电介质层在所述蚀刻工艺中具有比所述牺牲层低的蚀刻速率。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，形成由交替的绝缘层和牺牲层构成的所述堆叠体还包括：

在所述衬底上交替沉积包括SiO的所述绝缘层和包括SiN的所述牺牲层，以将所述牺牲层设置在所述绝缘层之间。

11.一种半导体器件，包括：

位于衬底之上的由交替的绝缘层和字线层构成的堆叠体；

形成于所述堆叠体中的具有多个台阶的阶梯，所述多个台阶中的每一个具有横板和竖板，并且还包括相应台阶的相应对的绝缘层和字线层，所述字线层位于所述绝缘层之上；

沿所述多个台阶的所述横板和所述竖板形成的电介质层，所述电介质层被设置为覆盖所述多个台阶的所述横板和所述竖板；以及

从所述多个台阶的所述字线层延伸并且还延伸穿过所述电介质层的多个字线触点。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，在所述多个台阶中的每一个中：

所述字线层与所述绝缘层相比在平行于所述衬底的方向上还延伸至所述电介质层中，并且

所述字线层的被所述多个台阶中的上覆台阶的所述绝缘层覆盖的部分具有比所述字线层在所述横板处的部分更小的厚度。