[发明专利]三维存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器件，包括：

在衬底上的交替导电/电介质堆叠层；

在所述交替导电/电介质堆叠层中的多个沟道结构；以及

在所述交替导电/电介质堆叠层中的多个栅极线缝隙(GLS)结构，每个栅极线缝隙结构包括：

穿透所述交替导电/电介质堆叠层的多个第一类型的GLS部分，以及

在所述交替导电/电介质堆叠层的上部部分中的多个第二类型的GLS部分。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述多个第一类型的GLS部分和所述多个第二类型GLS部分在位线方向上布置在彼此紧邻的交错位置中。

3.根据权利要求1所述的3D存储器件，还包括：

存储块，包括至少三个存储指；

其中，两个GLS结构位于所述存储块的边缘上。

4.根据权利要求3所述的3D存储器件，其中：

所述两个GLS结构中的一个GLS结构的每个第二类型的GLS部分在位线方向上与所述两个GLS结构中的另一个GLS结构的另一个第二类型的GLS部分对准。

5.根据权利要求3所述的3D存储器件，其中：

所述两个GLS结构中的一个GLS结构的每个第二类型的GLS部分在位线方向上与所述两个GLS结构中的另一个GLS结构的第一类型的GLS部分重叠。

6.根据权利要求1所述的3D存储器件，还包括：

存储块，包括至少三个存储指；

其中，中间的存储指由两个GLS结构夹置。

7.根据权利要求6所述的3D存储器件，其中：

所述两个GLS结构中的一个GLS结构的每个第二类型的GLS部分在位线方向上与所述两个GLS结构中的另一个GLS结构的另一个第二类型的GLS部分对准。

8.根据权利要求6所述的3D存储器件，其中：

所述两个GLS结构中的一个GLS结构的每个第二类型的GLS部分在位线方向上与所述两个GLS结构中的另一个GLS结构的第一类型的GLS部分重叠。

9.根据权利要求1所述的3D存储器件，还包括：

存储块，包括至少三个存储指；

其中，每个存储指由两个GLS结构夹置。

10.根据权利要求9所述的3D存储器件，其中：

一个GLS结构的每个第二类型的GLS部分在位线方向上与相邻的第二类型的GLS结构中的第一类型的GLS部分重叠，并且在所述位线方向上与下一个GLS结构中的另一个第二类型的GLS部分对准。

11.根据权利要求9所述的3D存储器件，其中：

位于所述存储块的边缘上的一个GLS结构的每个第二类型的GLS部分在位线方向上与相邻的第二类型的GLS结构中的第一类型的GLS部分重叠，并且在所述位线方向上与位于所述存储块的另一边缘上的另一个GLS结构中的另一个第二类型的GLS部分对准。

12.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中：

所述第二类型的GLS部分沿字线方向的长度等于或小于存储指在位线方向上的一半宽度。

13.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中：

所述第二类型GLS部分中的导电壁沿所述WL方向与所述第一类型的GLS部分中的导电壁接触。

14.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，每个沟道结构包括：

在沟道孔的侧壁上的功能层；

在每个沟道孔中的电介质填充物结构；以及

在所述功能层和所述电介质填充物之间的沟道层。