[发明专利]存储器及其操作方法、存储器系统

权利要求书

1.一种存储器的操作方法，其特征在于，包括：

采用多面编程模式对存储器的多个存储面中的至少两个存储面同时进行编程操作；

确定所述至少两个存储面中存在编程异常的存储面时，采用单面编程模式，继续对所述至少两个存储面中的每个存储面依次进行编程操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用单面编程模式，继续对所述至少两个存储面中的每个存储面依次进行编程操作，包括：

在采用单面编程模式时，针对每一存储面，在相应存储面的第一选中字线上施加第一编程电压；

其中，所述第一编程电压小于第二编程电压；所述第二编程电压为确定存在编程异常的存储面时，施加在所述相应存储面的所述第一选中字线上的编程电压；所述第一选中字线为确定存在编程异常的存储面时，相应存储面的选中字线。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述相应存储面的第一选中字线上施加第一编程电压时；在所述相应存储面中未选中的字线上施加第一导通电压；所述第一导通电压小于第二导通电压；所述第二导通电压为确定存在编程异常的存储面时，施加在所述相应存储面的未选中字线上的导通电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述至少两个存储面中存在编程异常的存储面，包括：

检测所述至少两个存储面中当前编程的存储单元的编程验证次数；

当所述编程验证次数超出当前待写入数据对应的预设次数时，确定所述至少两个存储面中存在编程异常的存储面。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

利用不同的电压源，分别给不同存储面中的当前编程的存储单元施加编程验证电压。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

利用不同的电压源，分别给同一存储面中的不同字线对应的存储单元施加编程验证电压。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述至少两个存储面中存在编程异常的存储面时，采用单面编程模式，继续对所述至少两个存储面中的每个存储面依次进行编程操作，包括：

确定所述至少两个存储面中存在编程异常的存储面时，直接采用单面编程模式，继续对所述至少两个存储面中的每个存储面依次进行编程操作；或者，

确定所述至少两个存储面中存在编程异常的存储面时，暂停编程操作；在接收到第二指令后采用单面编程模式，继续对所述至少两个存储面中的每个存储面依次进行编程操作。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

确定所述至少两个存储面中存在编程异常的存储面时，保存第一标记；

接收到第一指令时，利用所述存储器中的其它存储面存储分配给存在编程异常的存储面中存储数据；所述第一指令用于指示将第一标记中对应的存储面中存储数据进行转存。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用单面编程模式继续对所述至少两个存储面中的每个存储面依次进行编程操作，包括：

对所述至少两个存储面中的第一存储面继续进行编程操作；

确定所述第一存储面编程失败或者编程完成时，对所述至少两个存储面中的第二存储面继续进行编程操作。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

确定所述至少两个存储面中不存在编程异常的存储面时，采用所述多面编程模式，继续对所述至少两个存储面进行编程操作。

11.一种存储器，其特征在于，包括：多个存储面及与所述存储面耦接的外围电路；其中，

所述外围电路配置为，采用多面编程模式对所述多个存储面中的至少两个存储面同时进行编程操作；确定所述至少两个存储面中存在编程异常的存储面时，采用单面编程模式，继续对所述至少两个存储面中的每个存储面依次进行编程操作。