[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一氮基半导体层；

第二氮基半导体层，设置在所述第一氮基半导体层上，并且其具有的带隙大于所述第一氮基半导体层的带隙；

栅极电极，设置在所述第二氮基半导体层上方；

第一场板，设置在所述第二氮基半导体层上方；

第二场板，所述第二场板为不连续场板，设置在所述第二氮基半导体层上方且位于高于所述第一场板的位置，所述第二场板包括其不连续区域中的一个或多个封闭的不连续轮廓，其中所述第二场板的一个或多个封闭的不连续轮廓在垂直方向上与所述栅极电极为非对齐的；以及

第一介电层，设置在所述第二场板上方，其中所述第一介电层覆盖并贯穿在所述不连续区域中的所述第二场板，使得所述第二场板在其一个或多个封闭的不连续轮廓内围绕所述第一介电层的至少一部分，且所述第一介电层的所述部分在垂直方向上与所述栅极电极为非对齐的。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第一介电层的所述部分位于所述第一场板的正上方。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第一场板具有与所述第二场板垂直重叠的两个相对的端部以及在所述端部之间的中心部分，并且所述中心部分未被所述第二场板所覆盖。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第二场板具有内边界，所述内边界围绕所述一个或多个封闭的不连续轮廓，所述一个或多个封闭的不连续轮廓的形状呈矩形、圆形、椭圆形或其组合。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第二场板的所述不连续区域的所述内边界在所述第一场板上的垂直投影完全在所述第一场板内。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第二场板在所述不连续区域中具有弯曲内边界。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第一介电层的多个所述部分被所述第二场板的所述不连续区域围绕。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第一介电层的多个所述部分通过所述第二场板的所述不连续区域彼此分离。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，其中所述栅极电极、所述第一场板和所述第二场板沿一方向延伸，并且所述第一介电层的多个所述部分沿所述方向设置。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第二场板具有位于所述栅极电极正上方的端部。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

第二介电层，设置在所述第一和第二场板之间，所述第一介电层的所述部分通过所述第二场板与所述第二介电层接触。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

第三场板，设置在所述栅极电极和所述第一场板之间，并与所述第一场板垂直重叠。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第二场板的所述不连续区域具有两个彼此面对的内侧壁。