[发明专利]氮化物基半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物基半导体装置，其特征在于，包括：

第一氮化物基半导体层；

第二氮化物基半导体层，其安置在所述第一氮化物基半导体层上且其带隙大于所述第一氮化物基半导体层的带隙；

源电极和漏电极，其安置在所述第二氮化物基半导体层之上；以及

栅极结构，其安置在所述第二氮化物基半导体层之上及所述源电极和所述漏电极之间，所述栅极结构包括：

至少一个导电层，其包括金属且与所述第二氮化物基半导体层接触以在其间形成金属-半导体结；以及

两个或更多个经掺杂氮化物基半导体层，其与所述第二氮化物基半导体层接触且邻接所述导电层，以便与所述第二氮化物基半导体形成邻接所述金属-半导体结的接触界面。

2.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述经掺杂氮化物基半导体层彼此物理地分隔开。

3.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述导电层具有与所述第二氮化物基半导体层接触且位于所述经掺杂氮化物基半导体层之间的部分。

4.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述源电极和所述漏电极沿着第一方向布置且沿着第二方向延伸，并且所述经掺杂氮化物基半导体层沿着所述第一方向布置。

5.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述经掺杂氮化物基半导体层沿着所述第二方向延伸。

6.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述源电极和所述漏电极沿着第一方向布置且沿着第二方向延伸，并且所述经掺杂氮化物基半导体层沿着所述第二方向布置。

7.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述经掺杂氮化物基半导体层在所述第二氮化物基半导体层上布置为阵列，且所述导电层覆盖所述阵列。

8.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述导电层沿着所述经掺杂氮化物基半导体层的侧表面延伸到所述经掺杂氮化物基半导体层的顶表面。

9.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，进一步包括：

触点通孔，其与所述导电层接触且从所述导电层向上延伸。

10.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述栅极结构进一步包括覆盖所述导电层和所述经掺杂氮化物基半导体层以与所述导电层和所述经掺杂氮化物基半导体层接触的金属层。

11.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述导电层的顶表面的位置高于所述经掺杂氮化物基半导体层的顶表面，且所述金属层直接覆盖所述导电层和所述经掺杂氮化物基半导体层的所述顶表面。

12.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，进一步包括：

触点通孔，其与所述金属层接触且从所述金属层向上延伸，其中所述触点通孔通过所述金属层与所述导电层电耦合。

13.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述栅极结构进一步包括分别覆盖所述导电层的金属层，其中所述导电层沿着所述经掺杂氮化物基半导体层和所述金属层的侧表面延伸。

14.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述经掺杂氮化物基半导体层中的第一经掺杂氮化物基半导体层位于所述源电极和所述导电层之间且具有第一宽度，其中所述经掺杂氮化物基半导体层中的第二经掺杂氮化物基半导体层位于所述导电层和所述漏电极之间且具有大于所述第一宽度的第二宽度。