[发明专利]用于改变晶圆弯曲的方法和结构

权利要求书

1.一种控制衬底的弯曲的方法，包括：

提供在其上形成电介质层的衬底，所述衬底具有相对于参考平面的弯曲；以及

通过对所述衬底执行退火工艺来调整所述衬底的所述弯曲，其中：

所述退火工艺包括第一工艺条件和第二工艺条件的其中之一，所述第一工艺条件在所述衬底上引起拉伸应力以使所述衬底相对于所述参考平面向上弯曲，并且所述第二工艺条件在所述衬底上引起压缩应力以使所述衬底相对于所述参考平面向下弯曲。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，提供所述衬底包括：

在所述衬底上方沉积包括高密度等离子体(HDP)氧化硅和原硅酸四乙酯(TEOS)的其中之一的所述电介质层，在所述衬底上沉积所述HDP氧化硅和所述TEOS的所述其中之一之后，所述衬底相对于所述参考平面向下弯曲，并且所述弯曲的值为负。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火工艺的所述第一工艺条件包括：

在550℃和650℃之间的范围内的处理温度，以及

保护性退火气体，所述保护性退火气体包括N₂气体、H₂气体、He气体、O₂气体或Ar气体中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述退火工艺的所述第一工艺条件包括：

流速在15标准升/分钟(slm)和25slm之间的N₂气体，

在3小时和5小时之间的范围内的处理时间，

在500℃和700℃之间的范围内的处理温度，以及

在从0.1Torr至760Torr的范围内的压力。

5.根据权利要求2所述的方法，其中：

响应于沉积所述TEOS和应用所述退火工艺的所述第一工艺条件，所述衬底的所述弯曲的值增加10μm至70μm，并且

响应于沉积所述HDP氧化硅和应用所述退火工艺的所述第一工艺条件，所述衬底的所述弯曲的值增加110μm和150μm。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述退火工艺的所述第一工艺条件减小所述电介质层中的氢原子浓度。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述退火工艺的所述第二工艺条件包括：

等于或大于700℃的处理温度，以及

保护性退火气体，所述保护性退火气体包括N₂气体、H₂气体、He气体、O₂气体或Ar气体中的至少一种。

8.根据权利要求2所述的方法，其中，所述退火工艺的所述第二工艺条件包括：

流速在15标准升/分钟(slm)和25slm之间的N₂气体，

在3小时和5小时之间的范围内的处理时间，

大于700℃的处理温度，以及

在从0.1Torr至760Torr的范围内的压力。

9.根据权利要求7所述的方法，其中：

响应于沉积所述HDP氧化硅和应用所述退火工艺的所述第二工艺条件，所述衬底的所述弯曲的值增加50μm至100μm，并且

响应于沉积所述TEOS和应用所述退火工艺的所述第二工艺条件，所述衬底的所述弯曲的值减少80μm至120μm。

10.根据权利要求2所述的方法，其中，所述退火工艺的所述第二工艺条件包括：

H₂O蒸汽退火气氛。