[发明专利]管芯的有源表面上方的流体流动通道在审
申请号: | 202180004201.7 | 申请日: | 2021-02-19 |
公开(公告)号: | CN114207789A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | A·埃玛迪;A·里瓦尔;A·阿甘;T·博佐格-格拉耶里 | 申请(专利权)人: | 伊鲁米纳公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/473;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 张维;郑振 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管芯 有源 表面 上方 流体 流动 通道 | ||
1.一种方法,所述方法包括:
将管芯放置在基板中的腔的一部分中,其中所述管芯的表面上的一个或多个电触点是可接近的,其中所述基板包括所述管芯的所述表面上的所述电触点可接近的暴露的电触点,其中所述放置限定与所述管芯的上表面的第一边缘相邻的所述腔中的第一空间以及与所述管芯的所述上表面的第二边缘相邻的所述腔中的第二空间;
在所述管芯的下表面与所述基板之间的所述腔中形成底部填充层;
通过以下方式形成流体扇出区域:将可固化材料沉积在所述第一空间和所述第二空间中以形成所述流体扇出区域,所述流体扇出区域的表面与所述管芯的所述上表面邻接;以及
在所述管芯的有源表面上方形成流体流动通道,包括:
将封盖附接到与所述流体扇出区域相邻的所述基板的部分以在所述有源表面与所述封盖之间形成所述流体流动通道。
2.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:
将所述暴露的电触点耦接到所述管芯的所述表面上的所述电触点。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述暴露的电触点和所述管芯的所述表面上的所述电触点构成接合焊盘,其中包括所述暴露的电触点的所述接合焊盘各自在所述第一空间或所述第二空间中的一者中取向,并且其中所述耦接包括将所述暴露的电触点中的每个暴露的电触点引线接合到所述管芯的所述表面上的所述电触点之一,从而形成引线接合的连接。
4.根据权利要求3所述的方法,所述方法还包括:
在形成所述流体流动通道之前,通过将所述可固化材料沉积在所述流体扇出区域上方来封装所述引线接合的连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中在所述管芯的所述有源表面上方形成所述流体流动通道还包括:
使所述封盖取向为与所述经封装的引线接合的连接中的每个连接的顶表面物理接触,其中所述取向使每个顶表面变平。
6.根据权利要求1所述的方法,所述管芯还包括硅晶片、钝化叠堆以及延伸穿过所述硅晶片的一部分和所述钝化叠堆的一个或多个硅穿孔,其中所述钝化叠堆设置在所述硅晶片的所述部分的下表面下方,其中所述一个或多个硅穿孔中的每个硅穿孔的一部分通过所述钝化叠堆中的一个或多个开口中的一个开口暴露,并且其中每个暴露部分耦接到所述电触点。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述放置还包括将所述暴露的电触点耦接到所述电触点。
8.根据权利要求6所述的方法,所述方法还包括:
将所述暴露的电触点耦接到所述管芯的所述表面上的所述电触点。
9.根据权利要求7或8所述的方法,其中所述耦接包括利用选自以下的方法:使所述电触点回流,其中所述管芯的所述电触点包括柱凸块,并且利用各向异性导电膜来将所述电触点耦接到所述暴露的电触点。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法,其中所述可固化材料选自环氧树脂和胶粘剂。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法,其中所述形成流体扇出区域还包括使所述可固化材料固化。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述固化包括利用选自以下的方法:使所述可固化材料暴露于紫外辐射以及使所述可固化材料暴露于热能。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法,所述管芯包括传感器。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述传感器包括互补金属氧化物半导体(CMOS)检测设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造