[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一氮基半导体层，设置在衬底上方；

第二氮基半导体层，设置在所述第一氮基半导体层上，并且其具有的带隙大于所述第一氮基半导体层的带隙；

第一电极和第二S/D电极，设置在所述第二氮基半导体层上方；

第一栅极电极和第二栅极电极，其设置在所述第二氮基半导体层上方且在所述第一电极和所述第二电极之间；

第一钝化层，设置在所述第二氮基半导体层上并覆盖所述第一和第二栅极电极；

第一场板，设置在所述第一栅极电极和所述第一钝化层上，并具有位于所述第一栅极电极正上方的第一端部，其中所述第一钝化层具有覆盖有所述第一场板的所述第一端部的第一部分和未被所述第一场板覆盖的第二部分；

第二钝化层，设置在所述第一钝化层上并覆盖所述第一场板；以及

导电层，设置在所述第二钝化层上方，从所述第一场板延伸到所述第二栅极电极，并与所述第二氮基半导体层的一部分接触，其中，所述第二钝化层具有被所述导电层覆盖的第一部分和未被所述导电层覆盖的第二部分，其中，所述第一钝化层的所述第一和第二部分之间的厚度差小于所述第二钝化层的所述第一和第二部分之间的厚度差。

2.根据前述任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第一场板具有第二端部，所述第二端部低于所述第一端部的位置。

3.根据前述任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第一钝化层进一步具有第三部分和第四部分，所述第三部分被所述第一场板的所述第二端部覆盖，且所述第四部分未被所述第一场板所覆盖并邻接所述第一钝化层的所述第三区域。

4.根据前述任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第一钝化层的所述第三和第四部分之间的厚度差小于所述第二钝化层的所述第一和第二部分之间的厚度差。

5.根据前述任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于，其中所述导电层具有接触部分，所述接触部分位于所述第一栅极电极和所述第二栅极电极之间，且所述接触部分贯穿所述第一和第二钝化层以与所述第二氮基半导体层接触。

6.根据前述任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

第二场板，设置在所述第二栅极电极和所述第一钝化层上，其中所述导电层的延伸长度大于从所述第一场板到所述第二场板的距离。

7.根据前述任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于，其中所述导电层具有第一端面和第二端面，所述第一端面位于所述第一S/D电极和所述第一场板之间，所述第二端面位于所述第二S/D电极和所述第二场板之间，且所述第一端面相对于所述第二端面。

8.根据前述任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于，其中所述导电层以及所述第一和第二S/D电极包含相同的导电材料。

9.根据前述任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第二钝化层进一步具有第三部分，所述第三部分覆盖有所述第一S/D电极，且所述第一钝化层的所述第一部分和所述第二部分之间的所述厚度差小于所述第二钝化层的所述第二部分和所述第三部分之间的厚度差。

10.根据前述任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第二钝化层的所述第二部分连接所述第二钝化层的所述第一部分和所述第三部分。

11.根据前述任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第二钝化层的所述第二部分紧靠所述第二钝化层的所述第一和第三部分。

12.根据前述任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第一S/D电极和所述导电层彼此隔开。

13.根据前述任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于，其中所述第一场板包括氮化钛(TiN)。