[发明专利]相变存储器设备及其形成方法

权利要求书

1.一种三维(3D)相变存储器(PCM)设备，包括：

第一PCM单元；

所述第一PCM单元上的第一收缩PCM单元；

所述第一收缩PCM单元上的第二收缩PCM单元；以及

所述第二收缩PCM单元上的第二PCM单元，其中，所述第一PCM单元包括第一PCM元件，所述第一收缩PCM单元包括第一收缩PCM元件，所述第二收缩PCM单元包括第二收缩PCM元件，并且所述第二PCM单元包括第二PCM元件，并且其中，所述第一PCM元件的宽度大于所述第一收缩PCM元件的宽度，并且所述第二PCM元件的宽度大于所述第二收缩PCM元件的宽度。

2.根据权利要求1所述的3D PCM设备，其中，所述第一PCM元件的宽度比所述第一收缩PCM元件的宽度大5％至20％，并且所述第二PCM元件的宽度比所述第二收缩PCM元件的宽度大5％至20％。

3.根据权利要求1或2所述的3D PCM设备，其中，所述第一PCM元件的厚度大于所述第一收缩PCM元件的厚度，并且所述第二PCM元件的厚度大于所述第二收缩PCM元件的厚度。

4.根据权利要求3所述的3D PCM设备，其中，所述第一PCM元件的厚度比所述第一收缩PCM元件的厚度大5％至20％，并且所述第二PCM元件的厚度比所述第二收缩PCM元件的厚度大5％至20％。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的3D PCM设备，其中，所述第一PCM单元的宽度大于所述第一收缩PCM单元的宽度，并且所述第二PCM单元的宽度大于所述第二收缩PCM单元的宽度。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的3D PCM设备，其中，所述第一收缩PCM单元的宽度与所述第二收缩PCM单元的宽度相同，并且所述第二PCM单元的宽度与所述第一PCM单元的宽度相同。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的3D PCM设备，其中，所述第一收缩PCM元件的结晶温度高于所述第一PCM元件的结晶温度。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的3D PCM设备，其中，所述第一PCM元件和所述第一收缩PCM元件的材料包括硫属化物组分，所述硫属化物组分包括锗(Ge)、锑(Sb)、碲(Te)、铟(In)或镓(Ga)中的至少一种。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的3D PCM设备，其中，所述第一收缩PCM元件掺杂有碳(C)，并且所述第一PCM元件未掺杂有碳，或者掺杂的碳比所述第一收缩PCM元件掺杂的碳少。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的3D PCM设备，还包括：

下位线；

下字线；

中间位线；

上字线；以及

上位线，其中，所述第一PCM单元形成在所述下位线与所述下字线之间，所述第一收缩PCM单元形成在所述下字线与所述中间位线之间，所述第二收缩PCM单元形成在所述中间位线与所述上字线之间，并且所述第二PCM单元形成在所述上字线与所述上位线之间。

11.根据权利要求10所述的3D PCM设备，其中，在平面图中，所述下位线与所述下字线相交，所述下字线与所述中间位线相交，所述中间位线与所述上字线相交，并且所述上字线与所述上位线相交。