[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法及具备半导体装置的电力变换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，具有上表面和下表面，并设置有第一导电型的漂移区；

第一导电型的缓冲区，配置于所述漂移区与所述下表面之间，并且所述缓冲区的在所述半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布具有3个以上的浓度峰；以及

第二导电型的集电区，配置于所述缓冲区与所述下表面之间，

所述缓冲区中的3个以上的所述浓度峰包括：

第一浓度峰，距离所述下表面最近；

第二浓度峰，以仅次于所述第一浓度峰的方式接近所述下表面，且被配置为在所述深度方向上距离所述下表面为5μm以上，所述第二浓度峰的掺杂浓度比所述第一浓度峰的掺杂浓度低且所述第二浓度峰的所述掺杂浓度小于1.0×10¹⁵/cm³；以及

高浓度峰，被配置为比所述第二浓度峰更远离所述下表面，且所述高浓度峰的掺杂浓度比所述第二浓度峰的掺杂浓度高。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述高浓度峰是所述缓冲区中的3个以上的所述浓度峰中的距离所述下表面最远的所述浓度峰。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述高浓度峰是所述缓冲区中的3个以上的所述浓度峰中的除了所述第一浓度峰以外所述掺杂浓度最大的所述浓度峰。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述缓冲区中的3个以上的所述浓度峰中的除了所述第一浓度峰以外的各浓度峰的掺杂浓度小于1.0×10¹⁵/cm³。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述缓冲区中的3个以上的所述浓度峰中的除了所述第一浓度峰以外的各浓度峰的掺杂浓度为3.0×10¹⁴/cm³以上且5.0×10¹⁴/cm³以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述缓冲区在各个所述浓度峰之间具有所述掺杂浓度成为极小值的谷部，各个所述谷部的所述掺杂浓度为2.0×10¹⁴/cm³以上且5.0×10¹⁴/cm³以下。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电区中的第二导电型的掺杂剂的剂量为8×10¹²/cm²以下。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一浓度峰的所述掺杂浓度为所述集电区的所述掺杂浓度的0.1倍以上且10倍以下。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二浓度峰的所述掺杂浓度为所述第一浓度峰的所述掺杂浓度的0.1倍以下。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述高浓度峰的所述掺杂浓度为所述第一浓度峰的所述掺杂浓度的0.1倍以下。

11.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二浓度峰的所述掺杂浓度为所述高浓度峰的所述掺杂浓度的0.6倍以上且0.8倍以下。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述缓冲区中的3个以上的所述浓度峰包括第三浓度峰，所述第三浓度峰配置于所述第二浓度峰与所述高浓度峰之间，且所述第三浓度峰的掺杂浓度比所述第二浓度峰的掺杂浓度低。