[发明专利]单片化方法

说明书

一种单片化方法，依次包括：在晶片(100)的上表面形成表面保持膜(50)的工序；将晶片(100)的下表面减薄加工以使晶片(100)的厚度成为30μm以下的工序；从晶片(100)的上表面将表面保持膜(50)除去的工序；在晶片(100)的下表面依次形成第1金属层(30A)和第2金属层(30B)的工序；向第2金属层(30B)的下表面粘贴切割带(52)的工序；对晶片(100)的上表面实施提高晶片(100)的表面的亲水性的处理的工序；在晶片(100)的表面形成水溶性保护层(51)的工序；向晶片(100)的上表面的规定区域照射激光而将晶片(100)、第1金属层(30A)和第2金属层(30B)切断的工序；以及从晶片(100)的表面使用清洗用水将水溶性保护层(51)除去的工序。

技术领域

本发明涉及将晶片单片化的单片化方法。

背景技术

以往，已知具备半导体层和在其下表面形成的金属层的半导体装置(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2020/129786号

发明内容

发明要解决的课题

具备半导体层和在其下表面形成的金属层的半导体装置通过将在下表面形成有金属层的晶片单片化而得到。

以往，在上述半导体装置中，为了减小半导体层的厚度方向的电阻值，有想要使晶片的厚度比较薄、更具体而言想要薄到30μm以下的要求。

但是，关于在下表面形成有金属层的晶片，如果其厚度为30μm以下，则难以使用划片刀将该晶片单片化。

因此，本发明是鉴于上述问题而做出的，目的在于提供不使用划片刀地将晶片单片化的单片化方法。

用来解决课题的手段

本发明的一技术方案的单片化方法，将在上表面形成有多个半导体元件构造的晶片单片化，依次包括以下工序：第1工序，在上述晶片的上表面形成表面保持膜；第2工序，将上述晶片的下表面减薄加工使得上述晶片的厚度成为30μm以下；第3工序，从上述晶片的上表面除去上述表面保持膜；第4工序，在被减薄加工后的上述晶片的下表面依次形成第1金属层和第2金属层；第5工序，向上述第2金属层的下表面粘贴切割带；第6工序，对上述晶片的上表面实施提高上述晶片的表面的亲水性的处理；第7工序，在上述晶片的表面形成水溶性保护层；第8工序，向上述晶片的上表面的规定区域照射激光，将上述晶片、上述第1金属层和上述第2金属层切断；以及第9工序，使用清洗用水从上述晶片的表面除去上述水溶性保护层；上述第1金属层的厚度为30μm以上60μm以下，上述第2金属层的厚度为10μm以上40μm以下，上述第1金属层的杨氏模量为80GPa以上130GPa以下，上述第2金属层的杨氏模量为190GPa以上220GPa以下。

此外，本发明的一技术方案的单片化方法，将在上表面形成有多个半导体元件构造的晶片单片化，依次包括以下工序：第1工序，将上述晶片的下表面减薄加工；第2工序，在被减薄加工后的上述晶片的下表面形成金属层；第3工序，对上述晶片的上表面的规定区域照射第1激光，将上述晶片和上述金属层切断；以及第4工序，在上述晶片的平面视图中，对通过上述第3工序而被切断了的切断区域的中心线的两侧的规定范围内的切断邻接区域照射第2激光，并且，在上述晶片的平面视图中，对上述切断区域中包含的切断内区域照射第3激光。

发明效果

根据本发明的一技术方案的单片化方法，能够不使用划片刀地将晶片单片化。

附图说明

图1是表示实施方式1的半导体装置的构造的一例的剖视图。

图2是表示实施方式1的半导体装置的构造的一例的平面图。

图3A是实施方式1的晶片的示意性放大剖视图。