[发明专利]陶瓷基座

说明书

本发明关于一种陶瓷基座。本发明的陶瓷基座包括：绝缘板，其上设置有高频电极；连接至该绝缘板的轴；连接至该轴的纵向端的连接座；连接至该高频电极的第一杆和第二杆，穿过该轴的该纵向端并延伸至该连接座，以及设置在该连接座中的连接构件，其中该连接构件连接该第一杆和该第二杆。

技术领域

本发明关于一种陶瓷基座。更特别地，本发明关于一种具有用以减少高频电极单元产生的热量的结构的陶瓷基座。

背景技术

半导体装置或显示器装置一般是通过在玻璃基板、柔性基板，或半导体晶圆基板上依次堆栈包括介电层和金属层等多个薄膜层，然后将其图案化来制造。这些薄膜层以化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)制程或物理气相沉积(physical vapordeposition,PVD)制程依次沉积在基板上。CVD制程的范例包括低压CVD(LPCVD)制程、电浆增强CVD(PECVD)制程，以及金属有机CVD(MOCVD)制程。

此种CVD装置和PVD装置具有加热器，其被设置为支撑玻璃基板、柔性基板，或半导体晶圆基板并且施加预定量的热量。由于电浆沉积过程或其类似者中所需的精确温度控制和热处理等要求，陶瓷加热器被广泛安装在CVD装置和PVD装置上，以用以像是半导体组件的微布线等精密制程。此外，在蚀刻形成半导体晶圆基板上的薄膜层的过程中，或在光阻剂烧结过程中，加热器用以产生电浆以及加热基板。

参照图1，传统的陶瓷基座(ceramic susceptor)1包括耦接至轴(shaft)20的绝缘板(insulating plate)10，绝缘板10包括设置在陶瓷材料内部的RF电极(electrode)12，而RF电极12通过平行杆21和23连接至电源26以减少负载。为了微小半导体制程和提高生产率，RF功率一直在增加，而且在轴20内部安装了两个单独的RF电极杆21和23以减少负载，并使用连接到电源26的连接构件24，通过轴20内部的另一个杆25连接至电极杆21和23。此先前技术已公开在韩国专利公告号10-2137719(2020年7月24日)中。

然而，这种传统结构的问题在于轴内部的高温氧化气氛可能会让RF电极棒和连接构件氧化，因而改变电气特性或造成与外围导线短路。还有一个问题是，并不容易通过轴的小直径孔内的连接结构连接射频电极棒。

发明内容

(一)要解决的技术问题

因此，本发明是为了解决上述问题而提出的，本发明的一实施例提供一种陶瓷基座，其中两个或多个单独的RF电极杆被设置在轴内并被连接至一连接座内部，连接座的外围由冷却结构冷却，如此一来，即使施加到RF电极的RF功率增加，电流在多个连接杆的分流可防止在RF电极和RF电极杆附近的裂开和拱起，通过加热使基板上的沉积特性均匀化，并且可以保持电气特性而不会因RF电极杆的氧化而导致短路。

(二)技术方案

概括本发明的特征，根据本发明的一实施例的陶瓷基座包括：一绝缘板，其上设置有一高频电极；一连接至该绝缘板的轴；一连接至该轴的一纵向端的连接座；连接至该高频电极的一第一杆和一第二杆，其穿过该轴的该纵向端并延伸至该连接座，以及一设置在该连接座中的连接构件，其中该连接构件连接该第一杆与该第二杆。

该高频电极包括一第一高频电极和一第二高频电极，以及该第一杆电性连接至该第一高频电极，而该第二杆电性连接至该第二高频电极。

陶瓷基座进一步包括一形成在该轴的该纵向端的分隔板，以及该第一杆和该第二杆穿过分隔板并延伸至该连接座。

陶瓷基座进一步包括一被设定用以测量该连接座内的温度的温度传感器。

陶瓷基座进一步包括一被设定用以冷却该连接座的冷却结构。

陶瓷基座进一步包括一连接至该连接构件的牵引杆，其中该连接座是密封的并包括用以循环一冷却介质的一入口和一出口，以及该牵引杆穿过该密封的连接座而暴露在外。