[发明专利]研磨液、研磨液组及研磨方法在审
申请号: | 202180005850.9 | 申请日: | 2021-01-06 |
公开(公告)号: | CN115039203A | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 久木田友美;岩野友洋;长谷川智康 | 申请(专利权)人: | 昭和电工材料株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 杜娟 |
地址: | 日本国东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 方法 | ||
1.一种研磨液,其含有磨粒、选自由羟基酸及其盐组成的组中的至少一种羟基酸成分及化合物Z,
所述化合物Z具有可以被取代的烃基及聚氧亚烷基,
由下述通式(1)表示的Z值为20以上,
Z=0.1×a2×b/c…(1)
式(1)中,a表示所述烃基的碳原子数,b表示所述化合物Z中的氧亚烷基的总数,c表示所述化合物Z的HLB值。
2.根据权利要求1所述的研磨液,其中,
所述磨粒的ζ电位为正。
3.根据权利要求1或2所述的研磨液,其中,
所述磨粒包含铈氧化物。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的研磨液,其中,
所述磨粒包含铈氢氧化物。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的研磨液,其中,
所述羟基酸成分中的羧基及羧酸盐基的总数为1。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的研磨液,其中,
所述羟基酸成分中的羟基数为1~2。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的研磨液,其中,
所述羟基酸成分中的羟基数为2以上。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的研磨液,其中,
所述化合物Z的HLB值为8.0以上。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的研磨液,其中,
所述化合物Z包含由下述通式(z1)表示的化合物,
式(z1)中,A1表示亚烷基,R1表示所述烃基,n1表示2以上的整数。
10.根据权利要求9所述的研磨液,其中,
由所述通式(z1)表示的化合物的所述烃基为具有多个芳香环的芳基。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的研磨液,其中,
所述化合物Z包含具有键合有所述烃基及所述聚氧亚烷基的氮原子的化合物。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的研磨液,其中,
所述化合物Z包含由下述通式(z2)表示的化合物,
式(z2)中,A21及A22分别独立地表示亚烷基,R2表示所述烃基,n21及n22分别独立地表示2以上的整数。
13.根据权利要求12所述的研磨液,其中,
由所述通式(z2)表示的化合物的所述烃基为烷基。
14.一种研磨液组,其中,
权利要求1至13中任一项所述的研磨液的构成成分分为第1液与第2液来保存,所述第1液包含所述磨粒,所述第2液包含所述羟基酸成分及所述化合物Z。
15.一种研磨方法,其具备使用权利要求1至13中任一项所述的研磨液、或使用由权利要求14所述的研磨液组中的所述第1液与所述第2液混合而获得的研磨液对被研磨面进行研磨的研磨工序。
16.根据权利要求15所述的研磨方法,其中,
所述被研磨面包含氧化硅。
17.根据权利要求16所述的研磨方法,其中,
所述被研磨面进一步包含氮化硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造