[发明专利]固态摄像元件在审
申请号: | 202180007299.1 | 申请日: | 2021-01-18 |
公开(公告)号: | CN114830630A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 土本航也;北野伸;村川祐亮;中村诚;花田拓也;野田裕贵 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/146;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 房岭梅;姚鹏 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 元件 | ||
1.一种固态摄像元件,包括:
光电二极管,其被构造为对入射光进行光电转换以产生光电流;
转换电路,其被构造为将所述光电流转换为电压信号;
亮度变化检测电路,其被构造为基于所述电压信号检测所述入射光的亮度变化;和
遮光单元,其被构造为遮蔽光入射到杂质扩散区域,所述杂质扩散区域被包括在将所述电压信号输入到所述亮度变化检测电路的电路中。
2.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中
所述遮光单元
是覆盖配线层的遮光膜,所述配线层层叠在包括所述光电二极管的半导体层上。
3.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中
所述遮光单元
是覆盖包括所述光电二极管的半导体层的光入射侧表面的遮光膜。
4.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中
所述遮光膜
被设置在与所述杂质扩散区域重叠的位置处,在平面图中包括所述杂质扩散区域,在侧视图中从所述杂质扩散区域的外周起的突出宽度等于或大于侧视图中距所述杂质扩散区域的距离。
5.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中
所述遮光单元
是在配线层中为了遮光目的而设置的配线,所述配线层被设置为相对于所述杂质扩散区域靠近所述入射光入射的一侧。
6.根据权利要求5所述的固态摄像元件,其中
所述为了遮光目的而设置的配线
被设置在与所述杂质扩散区域重叠的位置处,在平面图中包括所述杂质扩散区域,并且在侧视图中从所述杂质扩散区域的外周起的突出宽度等于或大于侧视图中距所述杂质扩散区域的距离。
7.根据权利要求5所述的固态摄像元件,其中
所述为了遮光目的而设置的配线
包括在平面图中至少部分重叠的多层配线。
8.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中
所述遮光单元
包括嵌入在沟槽中的遮光部件,所述沟槽设置于通过热载流子发光的有源元件与所述杂质扩散区域之间。
9.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中
所述杂质扩散区域
被设置在由透镜会聚在所述光电二极管上的所述入射光的光束透过的区域之外。
10.一种固态摄像元件,包括:
光电二极管,其被构造为对入射光进行光电转换以产生光电流;
转换电路,其被构造为将所述光电流转换为电压信号;
亮度变化检测电路,其被构造为基于所述电压信号检测所述入射光的亮度变化;和
杂质扩散区域,其被设置在由透镜会聚在所述光电二极管上的所述入射光的光束透过的区域之外,并且所述杂质扩散区域被包括在将所述电压信号输入到所述亮度变化检测电路的电路中。
11.根据权利要求10所述的固态摄像元件,包括:
遮光单元,其被构造为遮蔽光入射到所述杂质扩散区域上。
12.根据权利要求11所述的固态摄像元件,其中
所述遮光单元
是覆盖在包括所述光电二极管的半导体层上层叠的配线层的遮光膜。
13.根据权利要求11所述的固态摄像元件,其中
所述遮光单元
是覆盖包括所述光电二极管的半导体层的光入射侧表面的遮光膜。
14.根据权利要求12所述的固态摄像元件,其中
所述遮光膜
被设置在与所述杂质扩散区域重叠的位置处,在平面图中包括所述杂质扩散区域,在侧视图中从所述杂质扩散区域的外周起的突出宽度等于或大于侧视图中距所述杂质扩散区域的距离。
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