[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其具有上表面和下表面；

第一导电型的漂移区，其设置于所述半导体基板；以及

第一导电型的缓冲区，其设置于所述漂移区与所述半导体基板的所述下表面之间，并且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；

所述缓冲区具有：

多个氢化学浓度峰，其配置在所述半导体基板的深度方向上的不同位置，并且包括距所述下表面最远的最深氢化学浓度峰；

多个掺杂浓度峰，其配置在所述半导体基板的深度方向上的不同位置，并且包括距所述下表面最近的最浅掺杂浓度峰；以及

高浓度区，其设置在所述最深氢化学浓度峰与所述漂移区之间，

所述高浓度区的所述深度方向上的掺杂浓度分布具有斜坡，该斜坡与所述漂移区相接，并且掺杂浓度朝向所述漂移区逐渐地减小，

所述斜坡包括向上凸起的部分，

以直线的方式对所述斜坡的斜率进行拟合而得的拟合浓度直线具有所述最浅掺杂浓度峰的深度位置处的最浅参考浓度，

所述最浅掺杂浓度峰的掺杂浓度是所述最浅参考浓度的5％以上且50％以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述拟合浓度直线的对数斜率是1000(/cm)以上且2000(/cm)以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述最浅掺杂浓度峰与所述半导体基板的所述下表面之间的距离是1μm以上。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述最浅掺杂浓度峰与所述半导体基板的所述下表面之间的距离小于3μm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述最深氢化学浓度峰与所述半导体基板的所述下表面之间的距离是20μm以下。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个氢化学浓度峰包括距所述下表面最近的最浅氢化学浓度峰，

所述最浅氢化学浓度峰与所述最深氢化学浓度峰之间的距离是15μm以下。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述高浓度区和所述漂移区的边界位置与所述半导体基板的所述下表面之间的距离是25μm以下。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个掺杂浓度峰包括距所述下表面最远的最深掺杂浓度峰，

在所述拟合浓度直线上，在将所述最深掺杂浓度峰的深度位置处的浓度设为最深参考浓度的情况下，所述最深掺杂浓度峰的掺杂浓度高于所述最深参考浓度。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个掺杂浓度峰包括距所述下表面第二近的第二掺杂浓度峰，

在所述拟合浓度直线上，在将所述第二掺杂浓度峰的深度位置处的浓度设为第二参考浓度的情况下，所述第二掺杂浓度峰的掺杂浓度低于所述第二参考浓度。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述最浅掺杂浓度峰的掺杂浓度为所述第二掺杂浓度峰的掺杂浓度的10倍以下。

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置，其特征在于，

所述最浅掺杂浓度峰的掺杂浓度相对于所述最浅参考浓度的比例大于所述第二掺杂浓度峰的掺杂浓度相对于所述第二参考浓度的比例。