[发明专利]在CVD系统中使用低蒸气压金属有机前体形成单晶压电层的设备和使用该设备形成单晶压电层的方法

说明书

一种用于形成半导体膜的设备包括水平流反应器，该水平流反应器包括上部和下部，该上部和下部可移动地彼此耦接以在打开位置中彼此分离，并且以在闭合位置中配合在一起以形成反应器腔室。中央注入器柱可以穿透水平流反应器的上部进入到反应器腔室中，中央注入器柱被配置成在闭合位置中允许金属有机前体进入到反应器腔室中。加热的金属有机前体管线可以耦接到中央注入器柱并且被配置成将包含在中央注入器柱上游的加热的金属有机前体管线中的低蒸气压金属有机前体蒸气加热到约70摄氏度至200摄氏度的温度范围。

技术领域

本发明总体上涉及电子装置。更具体地，本发明提供与用于体声波谐振器装置、单晶体声波谐振器装置、单晶滤波器和谐振器装置等的制造方法和结构相关的技术。仅仅作为示例，本发明已经被应用于用于通信装置、移动装置、计算装置等的单晶谐振器装置。

背景技术

无线数据通信可以利用在约5GHz和更高频率下运行的射频(RF)滤波器。已知在一些应用中使用结合了多晶压电薄膜的体声波谐振器(BAWR)。虽然一些多晶基压电薄膜BAWR对于工作在约1GHz至3GHz的频率的滤波器来说是足够的，但是由于与这些薄的多晶基膜相关的结晶度降低，因此在大约5GHz及5GHz以上的频率的应用可能存在障碍。

发明内容

根据本发明的实施例可以提供一种用于在CVD系统中使用低蒸气压金属有机前体形成单晶压电层的设备和使用该设备形成单晶压电层的方法。根据这些实施例，一种用于形成半导体膜的设备可以包括水平流反应器，该水平流反应器包括上部和下部，该上部和下部可移动地彼此耦接，以在打开位置中彼此分离，并且以在闭合位置中配合在一起以形成反应器腔室。中央注入器柱可以穿透水平流反应器的上部进入到反应器腔室中，中央注入器柱被配置成在闭合位置中允许金属有机前体进入到反应器腔室中。加热的金属有机前体管线可以耦接到中央注入器柱，并且被配置成将包含在中央注入器柱上游的加热的金属有机前体管线中的低蒸气压金属有机前体蒸气加热到约70摄氏度至200摄氏度的温度范围。处理器电路能够可操作地耦接至加热的金属有机前体管线并且被配置成用于将低蒸气压金属有机前体蒸气的温度维持在该温度范围内。

附图说明

图1是根据本发明的一些实施例中的CVD系统的示意图，该CVD系统包括被供应有加热的低蒸气压MO前体蒸气的水平流CVD反应器，该加热的低蒸气压MO前体蒸气经由加热管线被路由到CVD反应器，该加热的低蒸气压MO前体蒸气与被递送到CVD反应器中的其他前体热隔离。

图2是根据本发明的一些实施例中的CVD系统的示意图，该CVD系统包括被供应有加热的低蒸气压MO前体蒸气的水平流CVD反应器，该加热的低蒸气压MO前体蒸气经由加热管线被路由到CVD反应器，该加热的低蒸气压MO前体蒸气与被递送到CVD反应器的其他前体热隔离。

图3是根据本发明的一些实施例中的CVD系统的示意图，该CVD系统包括被供应有加热的低蒸气压MO前体蒸气水平流CVD反应器，该加热的低蒸气压MO前体蒸气经由加热管线被路由到CVD反应器，该加热的低蒸气压MO前体蒸气与被递送到CVD反应器中的其他前体热隔离。

图4是根据本发明的一些实施例中的行星式晶片输送器和在其上的多个晶片站的示意图，该行星式晶片输送器在晶片上方的低蒸气压MO前体蒸气的层流期间在水平流CVD反应器中旋转，该多个晶片站在行星式晶片输送器上旋转。

图5是根据本发明的一些实施例中的高温压力控制器的示意图，该高温压力控制器与加热的低蒸气压MO前体源容器下游的加热的低蒸气压MO前体管线共线。

图6是根据本发明的一些实施例中的高温质量流量控制器的示意图，该高温质量流量控制器与加热的低蒸气压MO前体源容器下游的加热的低蒸气压MO前体管线共线。

图7展示了可以用于实现根据本发明的实施例的计算系统的示例。

图8展示了可以用于实现根据本发明的实施例的多核处理器单元的示例。

具体实施方式