[发明专利]多层膜和成像元件

说明书

根据本公开一个实施方案的多层膜通过交替层叠介电层和半导体层而获得，在所述半导体层中，在用作作为复折射率之虚部的消光系数的光学常数k之中，对于波长在可见光区域的光的光学常数k1的值大于对于波长在红外光区域的光的光学常数k2的值，所述多层膜在层叠方向上的光学距离为0.3μm～10μm、吸收可见光的至少一部分并且透过红外光。

技术领域

本公开例如涉及一种在红外光区域中具有透过带的多层膜和包括该多层膜的成像元件。

背景技术

例如，专利文献1公开了一种固态成像装置，其在有机光电转换膜和半导体层之间设置有多层膜滤波器以获得具有高分辨率的红外光(IR)图像，其中光电二极管被形成为埋入在半导体层中，并且多层膜滤波器在红外光区域中具有透过带。

引用文献列表

专利文献

专利文献1：日本未审查专利申请公开No.2017-208496

发明内容

顺便提及的是，要求成像元件具有更高的成像时的图像质量。

期望提供一种允许具有更高的成像时的图像质量的多层膜和成像元件。

根据本公开实施方案的多层膜包括：半导体层和介电层。在所述半导体层的每一个中，在用作包括复折射率之虚部的消光系数的光学常数k之中，对于波长在可见光区域的光的光学常数k1的值大于对于波长在红外光区域的光的光学常数k2的值。所述半导体层和所述介电层交替层叠，所述多层膜在层叠方向上的光学距离为0.3μm以上且10μm以下、吸收可见光的至少一部分并且透过红外光。

根据本公开实施方案的成像元件包括：第一光电转换部；第二光电转换部；和多层膜。第一光电转换部对于波长在红外光区域的光具有敏感度。第二光电转换部层叠在第一光电转换部的光入射面侧，并且对于波长在可见光区域的光具有敏感度。所述多层膜设置在第一光电转换部和第二光电转换部之间。所述多层膜包括半导体层和介电层。在所述半导体层的每一个中，在用作包括复折射率之虚部的消光系数的光学常数k之中，对于波长在可见光区域的光的光学常数k1的值大于对于波长在红外光区域的光的光学常数k2的值。所述半导体层和所述介电层交替层叠，所述多层膜在层叠方向上的光学距离为0.3μm以上且10μm以下、吸收可见光的至少一部分并且透过红外光。

在根据本公开实施方案的多层膜和根据实施方案的成像元件中，提供了一种多层膜，其中半导体层和介电层交替层叠，并且在层叠方向上的光学距离为0.3μm以上且10μm以下。在所述半导体层的每一个中，对于波长在可见光区域的光的光学常数k1的值大于对于波长在红外光区域的光的光学常数k2的值。所述多层膜设置在第一光电转换部和第二光电转换部之间，第一光电转换部对于波长在红外光区域的光具有敏感度，第二光电转换部对于波长在可见光区域的光具有敏感度。这导致多层膜在选择性地透过红外光的同时吸收可见光的至少一部分。

附图说明

图1是示出根据本公开实施方案的多层膜的构成例的截面示意图。

图2是示出图1所示的多层膜的示例对于各波长带的反射率和透过率的图。

图3是示出根据本公开实施方案的多层膜的构成的另一示例的截面示意图。

图4是示出根据本公开实施方案的成像元件的构成的框图。

图5是示出图1所示的成像元件的示意性构成的示例的截面示意图。

图6是示出包括在图1所示的多层膜中的各层的膜厚在10％的范围内波动的情况下各波长的透过率的变化的特性图。

图7是示出包括在图1所示的多层膜中的各层的膜厚在5％的范围内波动的情况下各波长的透过率的变化的特性图。

图8是示出包括在图1所示的多层膜中的各层的膜厚在3％的范围内波动的情况下各波长的透过率的变化的特性图。