[发明专利]制造具有改进的切割特性的半导体结构的方法

权利要求书

1.一种制造半导体结构的方法，包括：

在硅晶片(102)上限定电路区域(134)和切割区域(136)；

在所述硅晶片(102)上形成第一金属层(104)；

在所述第一金属层(104)的顶表面的位于所述硅晶片(102)的所述电路区域(134)上方的区域(110)上形成阻挡层(108)；

在所述第一金属层(104)上形成第二金属层(112)；

在所述第二金属层(112)的位于所述电路区域(134)上方的第一区域(118)中形成第一多孔结构(124)，并且在所述第二金属层(112)的位于所述切割区域(136)上方的第二区域(122)中形成第二多孔结构(126)，其中，所述第一多孔结构(124)包括第一组孔(138)，所述第一组孔(138)从所述第一多孔结构(124)的顶表面延伸至所述阻挡层(108)，并且其中，所述第二多孔结构(126)包括第二组孔(140)，所述第二组孔(140)从所述第二多孔结构(126)的顶表面延伸至所述硅晶片(102)；

在所述第一多孔结构(124)的所述第一组孔(138)中形成金属-绝缘体-金属(MIM)叠层(132)；以及

蚀刻所述第二多孔结构(126)的所述第二组孔(140)以暴露所述硅晶片(102)的所述切割区域(136)。

2.根据权利要求1所述的方法，包括：

在所述第一金属层(104)和所述阻挡层(108)上形成所述第二金属层(112)。

3.根据权利要求1和2中的任一项所述的方法，包括：

将所述第一金属层(104)图案化成在所述第一金属层(104)中、在所述硅晶片(102)的所述切割区域(136)上形成开口(142)。

4.根据权利要求3所述的方法，包括：

在所述第一金属层(104)、所述阻挡层(108)和所述硅晶片(102)的所述切割区域(136)上形成所述第二金属层(112)。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的方法，包括：

在所述第二金属层(112)上形成第一掩模层(114)，所述第一掩模层(114)具有在所述第二金属层(112)的所述第一区域(118)上方的第一开口(116)和在所述第二金属层(112)的所述第二区域(122)上方的第二开口(120)；以及

对所述第二金属层(112)的所述第一区域(118)和所述第二区域(122)进行阳极氧化，以形成所述第一多孔结构(124)和所述第二多孔结构(126)。

6.根据权利要求5所述的方法，包括：

在所述第一掩模层(114)、所述第一多孔结构(124)和所述第二多孔结构(126)上沉积第二掩模层(128)；以及

将所述第二掩模层(128)图案化成在所述第二掩模层(128)中、在所述第一多孔结构(124)的所述第一组孔(138)上形成开口(130)。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二掩模层(128)覆盖所述第二多孔结构(126)的所述第二组孔(140)。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述第二多孔结构(126)包括位于所述第二多孔结构(126)的所述第二组孔(140)两侧的侧向孔(144)，并且其中，所述第二掩模层(128)包括位于所述第二多孔结构(126)的所述侧向孔中的至少一些侧向孔上的开口(158)。

9.根据权利要求8所述的方法，包括：

将所述MIM叠层(132)形成在所述第一多孔结构(124)的所述第一组孔(138)中以及所述第二多孔结构(126)的所述侧向孔(144)中的至少一些侧向孔中。