[发明专利]制造具有整体盖玻片的太阳能电池的方法和所获得的电池

权利要求书

1.制造太阳能电池的方法，包括：

-提供具有活性表面(105a)的太阳能电池(100)，所述活性表面(105a)在使用中旨在暴露于阳光下以进行光电转换；

-形成与所述活性表面对应的保护，以防止低能质子和其他对所述太阳能电池有害的辐射，

其特征在于，

所述形成保护包括：

-形成树脂层(110；210)，以及

-通过在所述树脂层上沉积材料而在所述树脂层上形成非导电保护材料层(115；215b)，所述非导电保护材料层在所述太阳能电池旨在进行光电转换的电磁辐射频率范围内是透明的，其中，所述通过沉积材料而形成的方法包括物理气相沉积-“PVD”，特别是热蒸发、电子束、脉冲激光沉积-“PLD”，以及溅射的一种或多种方法。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述树脂层(110)直接形成在所述太阳能电池的所述活性表面(105a)上。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

-通过沉积材料形成插入在所述树脂层(210)和所述太阳能电池的所述活性表面(105a)之间的另一保护材料层(215a)。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述通过沉积材料形成插入在所述树脂层(210)和所述太阳能电池的所述活性表面(105a)之间的另一保护材料层(215a)包括物理气相沉积-“PVD”，例如热蒸发、电子束、脉冲激光沉积-“PLD”，以及溅射的一种或多种方法。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述一层或多层保护材料层包括氧化物层或由氧化物层组成，特别是一层或多层SiO₂和/或Al₂O₃和/或Ta₂O₅和/或Nb₂O₅和/或Y₂O₃和/或TiO₂和/或Sc₂O₃和/或CeO₂和/或HfO₂和/或SnO₂和/或LaTiO₃和/或在所述太阳能电池用于进行光电转换的频率范围内透明的其他材料，包括MgF₂和/或CeF₃和/或ZnS和/或Si₃N₄。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，形成树脂层的所述阶段包括沉积过程。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：

-重复多次形成交替的树脂层和保护材料层。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：

-在保护材料的最顶层上形成抗反射层。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述保护材料层或所述保护材料层中的至少一个具有大于2μm的厚度。

10.太阳能电池，包括活性表面(105a)，所述活性表面(105a)在使用中旨在暴露于阳光下以进行光电转换，提供与所述活性表面对应的保护，以防止低能质子和其他对所述太阳能电池有害的辐射，其特征在于，所述保护包括至少一个树脂层(110；210)和在所述树脂层之上的至少一个保护材料层(115；215b)，所述保护材料层保护所述太阳能电池免受低能质子和其他有害辐射，对所述太阳能电池用于进行光电转换的频率范围内的太阳辐射是透明的，所述至少一个保护材料层是厚度大于2μm且不导电的沉积材料层。