[发明专利]选择性沉积的方法

权利要求书

1.一种选择性沉积方法，所述方法包含以下步骤：

将包含导电材料和介电材料的基板暴露至通式是((CH₃)₂N)_xSi(CH₃)_y((CH₂)_zCH₃)的硅烷基胺，其中x是1-3，y是0-2，x+y等于3，且z是0-17，以在所述介电材料上选择性形成表面活性剂层；且

在所述导电材料上选择性沉积膜。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述导电材料包含铜、锰、钴、钨、钌、或钼的一种或多种。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述介电材料包含氧化硅或低k电介质的一种或多种。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述硅烷基胺基本上由(N(CH₃)₂)Si(CH₃)₃所组成。

5.如权利要求1所述的方法，其中z小于或等于5。

6.如权利要求1所述的方法，其中选择性沉积所述膜包含化学气相沉积处理。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述膜包含金属膜。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述金属基本上由钌所组成。

9.如权利要求8所述的方法，其中钴覆盖物沉积在所述膜上以形成Ru-Co覆盖层。

10.如权利要求1所述的方法，其中在选择性沉积所述膜之后，不移除所述表面活性剂层。

11.一种改善选择性的方法，所述方法包含将包含导电材料和介电材料的基板暴露至由含氮气体形成的等离子体，所述导电材料具有氧化物污染物且所述介电材料具有–OH表面终端，以移除所述氧化物污染物且在所述介电材料上形成–NH表面终端。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述导电材料包含铜且所述氧化物污染物包含CuO。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述含氮气体包含NH₃、N₂H₂、或N₂的一种或多种。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述含氮气体基本上由氨(NH₃)所组成。

15.如权利要求11所述的方法，其中所述等离子体具有在300W至800W的范围中的功率。

16.如权利要求11所述的方法，其中通过所述等离子体来清洁所述基板持续在1秒至10秒的期间。

17.如权利要求11所述的方法，进一步包含将所述基板暴露至表面活性剂，以相较于所述导电材料而在所述介电材料上或相较于所述介电材料而在所述导电材料上选择性形成表面活性剂层，且分别地在所述导电材料或所述介电材料上选择性沉积膜。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述膜的所述选择性相对于没有清洁所述基板的类似处理增加大于或等于20百分比。