[发明专利]包括用于增加LED的接触表面积的3D结构的装置

权利要求书

1.一种装置，包括：

第一三维(3D)结构，其包括具有半极性刻面的第一型掺杂半导体材料；

导电层，其至少部分地覆盖所述第一型掺杂半导体材料的半极性刻面并与所述半极性刻面欧姆接触；

形成发光二极管(LED)的第二3D结构，其中，所述第二3D结构包括第二型掺杂半导体材料、有源层和所述第一型掺杂半导体材料；并且

其中，所述第一3D结构的第一型掺杂半导体材料和所述第二3D结构的第一型掺杂半导体材料从公共的第一型掺杂半导体外延层蚀刻。

2.根据权利要求1所述的装置，

其中，所述第一型掺杂半导体材料包括N型掺杂半导体材料，并且其中，所述第二型掺杂半导体材料包括P型掺杂半导体材料。

3.根据权利要求1所述的装置，

其中，所述第一3D结构和所述第二3D结构具有基本相似的高度。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第一3D结构和所述第二3D结构具有基本相似的台面形状；并且可选地

其中，所述第一3D结构和所述第二3D结构中的每一个具有抛物线形状。

5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第一3D结构和所述第二3D结构具有不同的形状；并且可选地

其中，所述第一3D结构具有矩形平台形状，并且所述第二3D结构具有抛物线形状。

6.根据权利要求1所述的装置，

其中，所述导电层至少部分地覆盖所述第一3D结构并支撑用于所述LED的N触点键合凸块，

其中，导电层至少部分地覆盖所述第二3D结构并支撑用于所述LED的P触点键合凸块，并且

其中，所述N触点键合凸块和所述P触点键合凸块相对于基底具有相似的高度，所述第一3D结构和所述第二3D结构形成在所述基底上。

7.根据权利要求1所述的装置，

其中，所述第一3D结构还包括所述第二型掺杂半导体材料和有源层，

其中，所述第一3D结构的第二型掺杂半导体材料和所述第二3D结构的第二型掺杂半导体材料从公共的第二型掺杂半导体外延层蚀刻，并且

其中，所述第一3D结构的有源层和所述第二3D结构的有源层从公共的外延层蚀刻；

并且可选地，其中所述导电层还至少部分地覆盖所述第二型掺杂半导体材料的表面和所述第一3D结构的有源层。

8.根据权利要求1所述的装置，

其中，所述第一3D结构的第一型掺杂半导体材料还包括C平面刻面，并且

其中，所述导电层还至少部分地覆盖所述第一型掺杂半导体材料的C平面刻面并与所述C平面刻面欧姆接触。

9.根据权利要求2所述的装置，其中，所述N型掺杂半导体材料包括磷化铝铟镓(AlInGaP)或III族氮化物材料。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电层包括金属。

11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电层包括透明导电氧化物。

12.一种方法，包括：

获得第一三维(3D)结构和导电层，其中，所述第一3D结构包括N型掺杂半导体材料，并且包括所述N型掺杂半导体材料的半极性刻面，

其中，所述导电层至少部分地覆盖所述N型掺杂半导体材料的半极性刻面并与所述半极性刻面欧姆接触，以及

将所述导电层用作被形成为第二3D结构的发光二极管(LED)的N型触点的一部分，所述第二3D结构包括P型掺杂半导体材料、有源层和N型掺杂半导体材料，并且

其中，所述第一3D结构的N型掺杂半导体材料和所述第二3D结构的N型掺杂半导体材料从公共的N型掺杂半导体外延层蚀刻。