[发明专利]经由均质器运动的可变光束尺寸在审
申请号: | 202180010086.4 | 申请日: | 2021-02-19 |
公开(公告)号: | CN115023867A | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | J·N·威尔金斯 | 申请(专利权)人: | 元素科学雷射公司 |
主分类号: | H01S3/13 | 分类号: | H01S3/13;H01S3/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王永建 |
地址: | 美国内*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 经由 均质器 运动 可变 光束 尺寸 | ||
1.一种烧蚀系统,包括:
用于产生激光束的激光源;
用于接收所述激光束的一组均质化光学器件,所述均质化光学器件包括第一均质器和第二均质器;以及
均质化光学器件调节装置,所述均质化光学器件调节装置承载所述均质化光学器件,所述均质化光学器件调节装置被配置为能够选择地调节所述第一均质器或所述第二均质器中的至少一个的位置以改变所述激光束的尺寸,所述激光束的尺寸的变化改变所述激光束的注量,所述激光束被配置为在穿过所述第一均质器和所述第二均质器时对材料进行烧蚀。
2.如权利要求1所述的烧蚀系统,其中,所述激光束的尺寸能够调节到包括最小光束尺寸和最大光束尺寸的范围内的任何尺寸。
3.如权利要求1所述的烧蚀系统,其中,所述第一均质器的位置是能够调节的。
4.如权利要求1所述的烧蚀系统,其中,所述第一均质器和第二均质器分别包括微透镜阵列。
5.如权利要求1所述的烧蚀系统,其中,所述烧蚀系统被结合在基于激光烧蚀的分析系统内,所述基于激光烧蚀的分析系统包括光谱仪,所述光谱仪被配置为接收和分析经烧蚀的材料。
6.如权利要求1所述的烧蚀系统,其中,所述均质化光学器件调节装置被配置为能够选择地调节所述第一均质器和所述第二均质器中的至少一个的位置,以增大所述激光束的横截面积并相一致地降低所述激光束的注量。
7.一种烧蚀系统,包括:
用于产生激光束的激光源;
用于接收所述激光束的一组均质化光学器件,所述均质化光学器件包括第一均质器和第二均质器;以及
均质化光学器件调节装置,所述均质化光学器件调节装置承载所述第一均质器和所述第二均质器,所述均质化光学器件调节装置被配置为能够选择地调节所述第一均质器或所述第二均质器中的至少一个的位置以改变所述激光束的横截面,所述激光束被配置为在穿过所述第一均质器和所述第二均质器之后烧蚀样品。
8.如权利要求7所述的烧蚀系统,其中,所述光束的横截面在包括最小光束横截面和最大光束横截面的范围内是能够调节的。
9.如权利要求7所述的烧蚀系统,其中,所述第一均质器的位置是能够调节的。
10.如权利要求7所述的烧蚀系统,其中,所述第一均质器或所述第二均质器中的至少一个包括微透镜阵列。
11.如权利要求7所述的烧蚀系统,其中,所述烧蚀系统被结合在基于激光烧蚀的分析系统内。
12.如权利要求11所述的烧蚀系统,其中,所述基于激光烧蚀的分析系统包括光谱仪,所述光谱仪被配置为接收和分析经烧蚀的样品。
13.如权利要求7所述的烧蚀系统,其中,所述均质化光学器件调节装置被配置为能够选择地调节所述第一均质器和所述第二均质器中的至少一个的位置,以增大所述激光束的横截面并相一致地减小所述激光束的注量。
14.如权利要求7所述的烧蚀系统,其中,所述均质化光学器件调节装置被配置为能够选择地调节所述第一均质器和所述第二均质器中的至少一个的位置,以减小所述激光束的横截面并相一致地增大所述激光束的注量。
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