[发明专利]用于等离子体处理室部件的钇铝涂层

权利要求书

1.一种涂覆等离子体处理室的部件的方法，其中所述方法包含：

提供部件主体；以及

将氧化钇粉末和含铝粉末的粉末混合物的涂层以气溶胶方式沉积至所述部件主体的至少一个表面上，其中所述涂层具有4:1至1:4的钇比铝的摩尔数比例。

2.根据权利要求1所述的方法，其还包含在至少约900℃的温度下对所述涂层进行退火，以将所述涂层形成为YAG、YAM或YAP中的一者或多者。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述部件主体由陶瓷材料制成。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述含铝粉末包含铝粉末或氧化铝粉末。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述部件主体形成介电窗。

6.一种等离子体处理室的部件，其包含部件主体，所述部件主体在所述部件主体的表面上具有涂层，其中所述涂层包含多孔性三元氧化物。

7.根据权利要求6所述的部件，其中所述多孔性三元氧化物由氧化钇粉末和含铝粉末的粉末混合物形成。

8.根据权利要求7所述的部件，其中所述三元氧化物为YAG、YAM和YAP中的一者或多者。

9.根据权利要求7所述的部件，其中所述部件主体由陶瓷材料形成。

10.根据权利要求7所述的部件，其中所述部件主体由硅材料形成。

11.根据权利要求7所述的部件，其中所述含铝粉末包含铝粉末或氧化铝粉末。

12.根据权利要求7所述的部件，其中所述部件主体形成介电窗。

13.根据权利要求6所述的部件，其中所述涂层具有落在约1-20％的范围内的孔隙率。

14.根据权利要求6所述的部件，其中所述涂层具有落在约10-20％的范围内的孔隙率。

15.根据权利要求6所述的部件，其中所述涂层具有落在约5-20％的范围内的孔隙率。

16.根据权利要求6所述的部件，其中所述涂层具有落在约5-10％的范围内的孔隙率。

17.根据权利要求6所述的部件，其中所述涂层具有4:1至1:4的钇比铝的摩尔数比例。

18.一种等离子体处理室的部件表面上的涂层，其包含沉积涂层，所述沉积涂层由氧化钇粉末和含铝粉末的粉末混合物形成。

19.根据权利要求18所述的涂层，其中所述涂层是多孔性三元氧化物，其中所述多孔性三元氧化物包含YAG、YAM和YAP中的一者。

20.根据权利要求18所述的涂层，其中所述含铝粉末包含铝粉末或氧化铝粉末。

21.根据权利要求18所述的涂层，其中所述涂层具有落在约1-20％的范围内的孔隙率。

22.根据权利要求18所述的涂层，其中所述涂层具有落在约10-20％的范围内的孔隙率。

23.根据权利要求18所述的涂层，其中所述涂层具有落在约5-20％的范围内的孔隙率。

24.根据权利要求18所述的涂层，其中所述涂层具有落在约5-10％的范围内的孔隙率。

25.根据权利要求18所述的涂层，其中所述涂层具有4:1至1:4的钇比铝的摩尔数比例。