[发明专利]选择性氧化和简化预清洁

权利要求书

1.一种方法，包含以下步骤：将包含受损的介电表面和还原的金属表面的基板表面暴露于由包含氢气和氧气的等离子体气体形成的等离子体，以氧化所述受损的介电表面而无需实质上氧化所述还原的金属表面。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体气体进一步包含稀释气体。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述稀释气体形成大于或等于所述等离子体气体的约95％。

4.如权利要求3所述的方法，其中等离子体气体通过以下方式输送至处理腔室来形成：具有流率在约0sccm至约15sccm的范围中的氢气、具有流率在约10sccm至约20sccm的范围中的氧气和具有流率在约4900sccm至约5000sccm的范围中的稀释气体。

5.如权利要求2所述的方法，其中所述稀释气体包含氩。

6.如权利要求1所述的方法，其中氢气与氧气的比例在约1：1至约1:10的范围中。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述介电表面包含氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的一种或多种。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述金属表面包含钨或钴的一种或多种。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体是功率在约2500W至约3000W的范围中的微波等离子体。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述基板表面暴露于所述等离子体约15分钟至约30分钟的范围中的周期。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述基板表面维持在约400℃的温度下。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述方法将所述受损的介电表面的氧含量增加到约40至约50原子百分比的范围。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述金属表面在暴露于所述等离子体之后的反射率在所述金属表面在暴露于所述等离子体之前的反射率的±5％内。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述金属表面在暴露于所述等离子体之后的电阻率在所述金属表面在暴露于所述等离子体之前的电阻率的±10％内。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述金属表面在暴露于所述等离子体之后的薄层电阻在所述金属表面在暴露于所述等离子体之前的薄层电阻的±10％内。

16.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：将所述基板表面暴露于氢等离子体以形成所述受损的介电表面。

17.一种选择性地氧化介电表面的方法，所述方法包含以下步骤：将包含氮化硅表面和钨表面的基板表面暴露于由包含氢气、氧气和氩的等离子体气体形成的微波等离子体，以选择性地氧化所述氮化硅表面而不氧化所述钨表面，所述微波等离子体的功率在约2500W至约3000W的范围中，所述等离子体气体的氩浓度按摩尔计大于或等于约95％，并且氢气与氧气的比例在约1：1至约1:10的范围中，所述基板表面维持在约400℃的温度下，

其中所述钨表面在暴露于所述微波等离子体之前和之后的性质相似，所述性质选自反射率、电阻率和薄层电阻的一种或多种。

18.一种清洁基板的方法，所述方法包含以下步骤：将具有受污染的介电表面和受污染的金属表面的基板表面暴露于由包含氢气和氧气的等离子体气体形成的等离子体，以移除污染物并形成清洁的介电表面和清洁的金属表面。