[发明专利]半导体元件和半导体装置在审
| 申请号： | 202180013173.5 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN115053355A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 松原佑典;今藤修;安藤裕之;竹原秀树;四户孝;冲川满 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/47;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 装置 | ||
1.一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括含有镓的氧化物作为主成分，其特征在于，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积。
2.一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在电极上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括含有镓的氧化物作为主成分，其特征在于，所述电极具有比所述氧化物半导体膜大的面积。
3.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其中，所述氧化物具有刚玉结构。
4.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其中，所述氧化物为α-Ga2O3或其混晶。
5.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述导电性基板的线热膨胀系数与所述氧化物半导体膜的线热膨胀系数相同或小于所述氧化物半导体膜的线热膨胀系数。
6.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述氧化物半导体膜至少包含第一边、第二边、第一晶轴和第二晶轴，
第一晶轴方向的线热膨胀系数小于第二晶轴方向的线热膨胀系数，
第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，
第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，
所述导电性基板至少包含与所述第一边对应的边和与所述第二边对应的边，与所述第一边对应的边比与所述第二边对应的边更长。
7.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述导电性基板为金属基板或半导体基板。
8.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述导电性基板比所述氧化物半导体膜大一圈。
9.根据权利要求2所述的半导体元件，其中，所述电极比所述氧化物半导体膜大一圈。
10.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述导电性基板的面积为所述氧化物半导体膜的面积的1.1倍～4倍。
11.根据权利要求2所述的半导体元件，其中，所述电极的面积为所述氧化物半导体膜的面积的1.1倍～4倍。
12.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，所述导电性基板的侧面为切断面，在所述切断面上具有台阶或毛刺。
13.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其中，所述半导体元件为纵向型器件。
14.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其中，所述半导体元件为功率器件。
15.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其中，所述半导体元件为肖特基势垒二极管SBD、金属氧化膜半导体场效应晶体管MOSFET或绝缘栅双极晶体管IGBT。
16.一种半导体装置，至少通过半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而构成，其中，所述半导体元件为权利要求1或2所述的半导体元件。
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述半导体元件为功率模块、逆变器或转换器。
18.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述半导体元件为功率卡。
19.一种半导体系统，具备半导体元件或半导体装置，其特征在于，所述半导体元件为权利要求1或2所述的半导体元件，所述半导体装置为权利要求16～18中任一项所述的半导体装置。
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