[发明专利]显示器件及相关联的方法

权利要求书

1.一种显示器件，包括：

衬底，所述衬底在其上包括第一发射体和第二发射体；

包括第一下部有源量子阱QW区的所述第一发射体，所述第一下部有源量子阱QW区具有跨越第一光谱范围的第一发射光谱，

所述第二发射体：包括(i)上部有源QW区，所述上部有源QW区具有跨越与所述第一光谱范围不同的第二光谱范围的第二发射光谱，(ii)第二下部有源QW区，所述第二下部有源QW区具有所述第一发射光谱并且位于所述上部有源QW区和所述衬底之间，以及(iii)势垒层，所述势垒层在所述第二下部有源QW区和所述上部有源QW区之间，用于抑制所述第二下部有源QW区的发射。

2.根据权利要求1所述的显示器件，所述第一下部有源QW区和所述第二下部有源QW区中的每一个由晶格参数的第一集合表征，所述上部有源QW区由与所述晶格参数的第一集合中的相应参数相差小于百分之五的晶格参数的第二集合表征。

3.根据权利要求2所述的显示器件，还包括在所述第二下部有源QW区与所述上部有源QW区之间的空穴阻挡层。

4.根据权利要求3所述的显示器件，所述空穴阻挡层包括n型半导体材料。

5.根据权利要求1所述的显示器件，所述势垒层包括n型半导体材料。

6.根据权利要求1所述的显示器件，

所述第一发射体相对于所述衬底的顶面具有第一高度；

所述衬底限定延伸到所述衬底中的凹槽，所述第二发射体至少部分地包含在所述凹槽内，使得所述第二发射体相对于所述顶面的高度等于所述第一高度。

7.根据权利要求6所述的显示器件，其中，所述凹槽相对于所述顶面的深度基本上等于所述第一高度。

8.根据权利要求6所述的显示器件，所述衬底限定延伸到所述衬底中的附加凹槽，所述第一发射体至少部分地包含在所述附加凹槽内。

9.根据权利要求1所述的显示器件，所述第二发射体在平行于所述衬底的顶面的第一方向中与所述第一发射体相邻，以及以下中的至少一个：

在所述第一方向上所述第二下部有源QW区的宽度超过所述第一下部有源QW区的宽度；和

所述第二下部有源QW区在平行于所述顶面的平面中的截面面积超过所述第一下部有源QW区的截面面积。

10.根据权利要求1所述的显示器件，还包括：

多个附加的第一发射体，所述多个附加的第一发射体与所述第一发射体一起形成第一发射体阵列；和

多个附加的第二发射体，所述多个附加的第二发射体与所述第二发射体一起形成与所述第一发射体阵列交错的第二发射体阵列。

11.根据权利要求1所述的显示器件，

所述第一发射体和所述第二发射体包括(i)相应的p掺杂半导体层和(ii)相应的欧姆接触层中的至少一个。