[发明专利]光检测元件及图像传感器在审
| 申请号： | 202180013673.9 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN115104189A | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 高田真宏;小野雅司 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 薛海蛟 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 检测 元件 图像传感器 | ||
1.一种光检测元件，其具有：
光电转换层，其包含含有金属原子的半导体量子点QD1的集合体及与所述半导体量子点QD1配位的配体L1；及
空穴传输层，其配置于所述光电转换层上且包含含有金属原子的半导体量子点QD2的集合体及与所述半导体量子点QD2配位的配体L2，
所述半导体量子点QD2的带隙Eg2大于所述半导体量子点QD1的带隙Eg1，且所述半导体量子点QD2的带隙Eg2与所述半导体量子点QD1的带隙Eg1之差为0.10eV以上。
2.根据权利要求1所述的光检测元件，其中，
半导体量子点QD1及半导体量子点QD2分别含有Pb原子。
3.根据权利要求1或2所述的光检测元件，其中，
半导体量子点QD1及半导体量子点QD2分别包含相同种类的半导体量子点。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光检测元件，其中，
所述半导体量子点QD1及半导体量子点QD2分别含有PbS。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光检测元件，其中，
所述配体L1及所述配体L2包含选自含有卤原子的配体及含有2个以上配位部的多齿配体中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的光检测元件，其中，
所述含有卤原子的配体为无机卤化物。
7.根据权利要求6所述的光检测元件，其中，
所述无机卤化物含有Zn原子。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的光检测元件，其中，
所述配体L1包含巯基乙酸。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的光检测元件，其中，
所述配体L2包含具有巯基的化合物。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的光检测元件，其为光电二极管型光检测元件。
11.一种图像传感器，其包含权利要求1至10中任一项所述的光检测元件。
12.根据权利要求11所述的图像传感器，其为红外线图像传感器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
