[发明专利]射频放大器

权利要求书

1.一种包括射频放大器的集成电路，包括：

-至少两个放大器级(DS、PS)，

-在所述射频放大器的两个放大器级(DS、PS)之间的阻抗适配装置(DAI)，所述适配装置包括通过电磁感应耦联的两条线路(L1、L2)，第一线路(L1)连接到所述第一放大器级(DS)的输出并且第二线路(L2)连接到所述第二放大器级(PS)的输入。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二线路(L2)具有允许补偿所述第二放大器级(PS)的输入电容组件(Cp_psin)的尺寸。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的集成电路，其中所述第一线路(L1)具有允许满足所述第一放大器级(DS)的输出处的所需负载的实部的尺寸。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的集成电路，其中耦联线路(L1、L2)被布置成使得这些线路之间的耦联因子最大化。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的集成电路，其中，第一耦联线路(L1)具有连接到所述第一放大器级(DS)的第一端子和连接到去耦电容元件(CD4)的第二端子。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述第一线路(L1)的所述第一端子经由电感元件(Lmatch)连接到所述第一放大器级(DS)。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的集成电路，其中所述第一放大器级(DS)和所述第二放大器级(PS)被配置成获得在以下项之间的小于5的比率：所述第二级的所述输入处看到的电阻(Rp_psin)；在所述第一级的所述输出处期望的负载的电阻(Rp_load_ds)。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的集成电路，其中所述阻抗适配装置的所述第一线路(L1)和所述第二线路(L2)彼此缠绕。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中所述第一线路(L1)和所述第二线路(L2)缠绕在连接到所述第一线路(L1)的所述去耦电容元件(CD4)上或缠绕在连接到所述第二线路(L2)的所述去耦电容元件(CD5)上。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的集成电路，其中所述第一放大器级(DS)和所述第二放大器级(PS)是CMOS射频放大器。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的集成电路，其中所述第一放大器级(DS)是驱动级，并且所述第二放大器级(PS)是功率级。

12.一种对象，包括：

-无线电天线，

-根据权利要求1至11中任一项所述的集成电路，所述射频放大器连接到所述无线电天线，以便能够向所述无线电天线传递根据在所述射频放大器的输入处接收的射频信号而被放大的射频信号。