[发明专利]高分辨率单体式RGB阵列

权利要求书

1.一种发光二极管结构，包括：

p型区域；

n型区域；和

发光区域，用于可由所述p型区域和所述n型区域注入的载流子的复合，其中所述n型区域和所述p型区域中的至少一个至少部分地形成在穿过所述发光区域的通孔中，其中所述通孔定义了至少一个像素的发光表面的边界。

2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中，所述发光区域包括至少一个外延量子阱层，和/或，其中所述通孔能够在所述发光区域中实现横向载流子的注入。

3.根据前述任一权利要求所述的发光二极管结构，其中，所述n型区域和所述p型区域均至少部分地形成在穿过所述发光区域的多个通孔中，和/或，其中所述发光二极管结构还包括另一通孔，其中所述通孔与所述另一通孔分别被布置为提供阳极和阴极。

4.根据前述任一权利要求所述的发光二极管结构，包括另一发光区域。

5.根据权利要求4所述的发光二极管结构，其中，所述发光区域和所述另一发光区域被未掺杂区域隔开，从而提供发光区域的堆叠，优选地，所述通孔既穿过所述发光区域又穿过所述另一发光区域，更优选地，其中所述发光区域和所述另一发光区域被配置为辐射不同波长的光，更加优选地，其中所述发光区域和所述另一发光区域被布置为使得所述发光区域和所述另一发光区域的表面区域部分重叠，进一步更加优选地，其中所述发光二极管结构包括至少三个发光区域，其中一个发光区域发出蓝光，一个发光区域发出绿光，一个发光区域发出红光。

6.根据前述任一权利要求所述的发光二极管结构，其中，所述通孔是定义了包括多个像素的阵列的网格通孔，优选地，其中所述网格被布置为提供公共电极，更优选地，其中所述多个像素中的至少一个像素包括另一电极，更加优选地，其中所述另一电极居中地位于所述至少一个像素的发光表面的边界内，进一步更加优选地，其中至少两个像素被配置为辐射不同波长的光。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的发光二极管结构，其中，所述另一通孔包括柱状通孔，并且在所述另一通孔中形成有所述n型和所述p型区域中的至少一个，优选地，其中所述柱状通孔被布置为提供电极，从而能够控制由所述通孔所定义的像素中的辐射。

8.根据前述任一权利要求所述的发光二极管结构，其中，所述发光区域和/或另一发光区域形成在未掺杂的外延层上，和/或，其中所述发光区域和/或所述另一发光区域形成在未掺杂的外延层之间，优选地，其中所述未掺杂的外延层形成在被配置为阻止纵向载流子扩散的阻挡层上，更优选地，其中所述未掺杂的外延层为氮化镓，更加优选地，其中所述阻挡层为AlGaN。

9.根据前述任一权利要求所述的发光二极管结构，其中，所述n型区域和所述p型区域中的至少一个形成于分别连接至平面n型区域或平面p型区域的通孔中。

10.根据前述任一权利要求所述的发光二极管结构，其中，所述n型区域和/或所述p型区域藉由n型材料和/或p型材料的选定区域生长分别形成于所述通孔中。

11.根据前述任一权利要求所述的发光二极管结构，其中，所述通孔为蚀刻通孔。

12.根据前述任一权利要求所述的发光二极管结构，其中，所述发光表面具有基于所述发光区域内的载流子的扩散长度的面积，优选地，其中所述发光表面面积小于或等于100μm²，更优选地小于或等于16μm²。

13.根据前述任一权利要求所述的发光二极管结构，其中，所述至少一个像素完全由单个电极外围地定义。

14.一种高分辨率微型LED阵列，其包括根据权利要求1至13中任一项所述的发光二极管结构。