[发明专利]用于化学气相沉积反应器的基座在审
| 申请号： | 202180015499.1 | 申请日： | 2021-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN115176349A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | S·坎丹;A·伊格纳提夫;M·诺沃日洛夫;J·朱厄特 | 申请（专利权）人： | 梅托克斯技术公司 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 化学 沉积 反应器 基座 | ||
1.一种用于基板带(120)的加热和温度控制并用于控制沉积设备内的错误沉积累积(180)的基座(200)，所述基座(200)包括：
主体(210)，其形成所述基座(200)的基部；以及
两个或更多个相邻的凸起部分(220)，每个凸起部分从所述主体(210)的上表面垂直延伸并沿所述主体(210)的长度纵向延伸，每个凸起部分的顶部(224)的宽度基本等于或小于所述基板带(120)的宽度，
其中每个凸起部分(220)通过间隙(230)与相邻的凸起部分(200)分开，以及
其中分开相邻的凸起部分(220)的所述间隙(230)形成通道(240)，以收集错误沉积材料(180)。
2.根据权利要求1所述的基座，其中所述主体进一步包括向内倾斜以形成梯形横截面的侧壁。
3.根据权利要求1所述的基座，其中所述凸起部分的顶面沿所述基座的纵向弯曲，使得凸起部分的垂直高度在所述基座的中央处大于所述基座的端部处。
4.根据权利要求1所述的基座，其中所述通道的横截面区域为直线形状。
5.一种用于基板带(120)的加热和温度控制并用于控制沉积设备内的错误沉积累积(180)的基座(610)，所述基座(610)包括：
主体(210)，其形成所述基座(610)的基部；以及
两个或更多个相邻的凸起部分(220)，每个凸起部分从所述主体(210)的上表面垂直延伸并沿所述主体(210)的长度纵向延伸，
其中每个凸起部分(220)的顶部(224)还包括两个或更多个支撑脊(620)，所述支撑脊被配置为升高所述基板带(120)，使得所述基板带(120)的底部不接触所述凸起部分(220)的顶面(630)，以及
其中凸起部分(220)的两个支撑脊(620)的最外边缘之间的距离基本等于或小于所述基板带(120)的宽度，以及
其中每个凸起部分(220)通过间隙(230)与相邻的凸起部分(200)分开，以及
其中分开相邻的凸起部分(220)的所述间隙(230)形成通道(240)，以收集错误沉积材料(180)。
6.根据权利要求5所述的基座，其中所述主体进一步包括向内倾斜以形成梯形横截面的侧壁。
7.根据权利要求5所述的基座，其中所述凸起部分的顶面沿所述基座的纵向弯曲，使得凸起部分的垂直高度在所述基座的中央处大于所述基座的端部处。
8.根据权利要求5所述的基座，其中所述基板带的底部和所述凸起部分的顶部之间的空间包含惰性气体。
9.一种用于沉积设备内的基板带(120)的加热和温度控制的基座(600)，所述基座(600)包括：
主体(210)，其形成所述基座(600)的基部；以及
两个或更多个支撑脊(620)，其位于所述主体的上表面上并且被配置为提升基板带(120)，使得所述基板带(120)的底部不接触所述基座(600)的主体的上表面。
10.根据权利要求9所述的基座，其中所述主体进一步包括向内倾斜以形成梯形横截面的侧壁。
11.根据权利要求9所述的基座，其中所述基座的顶面在纵向上弯曲以向所述基板带提供张力，使得所述基座中央处的垂直高度大于所述基座端部。
12.根据权利要求9所述的基座，其中所述基板带的底部和所述凸起部分的顶部之间的空间包含惰性气体。
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