[发明专利]低损耗高效率光子移相器

权利要求书

1.一种设备，包括：

第一包覆层；

第一电触件，包括第一引线和第一介电部分，其中第一引线耦合到第一介电部分；

第二电触件，包括第二引线和第二介电部分，其中第二引线耦合到第二介电部分，并且其中第一介电部分和第二介电部分由间隙区域分隔开；

波导结构，包括由钛酸钡构成的平板层，其中平板层耦合到第一电触件的第一介电部分和第二电触件的第二介电部分；

耦合到平板层的脊部分，其中脊部分部署在第一电触件和第二电触件之间；以及

第二包覆层，

其中第一介电部分和第二介电部分在第一方向上的介电常数大于钛酸钡在第一方向上的介电常数，其中第一方向包括将第一介电部分与第二介电部分隔开的方向，并且其中第一方向平行于平板层。

2.如权利要求1所述的设备，

其中脊部分部署在平板层的第一侧并且延伸到第一包覆层中，以及

其中第一介电部分和第二介电部分在平板层的与第一侧相对的第二侧耦合到平板层。

3.如权利要求1所述的设备，其中平板层由与脊部分不同的材料构成。

4.一种设备，包括：

第一包覆层；

第一电触件，包括第一引线和第一介电部分，其中第一引线耦合到第一介电部分；

第二电触件，包括第二引线和第二介电部分，其中第二引线耦合到第二介电部分；

波导结构，包括由第一材料构成的平板层，其中平板层耦合到第一电触件的第一介电部分和第二电触件的第二介电部分；以及

第二包覆层，

其中第一介电部分和第二介电部分在第一方向上的介电常数大于第一材料在第一方向上的介电常数。

5.如权利要求4所述的设备，

其中波导结构还包括耦合到平板层的第一脊部分，其中第一脊部分部署在第一电触件和第二电触件之间。

6.如权利要求5所述的设备，

其中平板层由钛酸钡构成，以及

其中第一脊部分由氮化硅构成。

7.如权利要求5所述的设备，

其中第一脊部分由第一材料构成。

8.如权利要求5所述的设备，

其中第一脊部分部署在平板层的第一侧并且延伸到第一包覆层中，并且

其中第一介电部分和第二介电部分在平板层的第一侧耦合到平板层。

9.如权利要求5所述的设备，

其中脊部分部署在平板层的第一侧并且延伸到第一包覆层中，

其中第一介电部分和第二介电部分在平板层的与第一侧相对的第二侧耦合到平板层。

10.如权利要求9所述的设备，

其中第一电触件和第二电触件部署在平板层的第二侧。

11.如权利要求9所述的设备，

其中第一电触件通过从平板层的第二侧到平板层的第一侧穿过平板层而耦合到第一介电部分，并且

其中第二电触件通过从平板层的第二侧到平板层的第一侧穿过平板层而耦合到第二介电部分。

12.如权利要求4所述的设备，

其中第一介电部分和第二介电部分由钛酸锶构成。

13.如权利要求4所述的设备，

其中波导结构还包括第一条形波导部分和第二条形波导部分，

其中第一条形波导部分和第二条形波导部分分别由第二材料和第三材料构成，并且

其中平板层部署在第一条形波导部分和第二条形波导部分之间。

14.如权利要求13所述的设备，

其中第二材料和第三材料为氮化硅。