[发明专利]半导体装置、蓄电装置、电池控制电路、电子构件、车辆以及电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

包括第一导电体及该第一导电体上的第一半导体的第一晶体管；

所述第一晶体管上的第一绝缘体；

所述第一绝缘体所具有的开口部中的第二导电体；

所述第一绝缘体上的第二晶体管；以及

所述第二晶体管上的第三导电体，

其中，所述第一导电体被用作所述第一晶体管的源电极及漏电极中的一个，

所述第一半导体与所述第二导电体彼此重叠，

所述第二导电体与所述第三导电体彼此重叠，

所述第三导电体与所述第二晶体管彼此重叠，

并且，所述第一半导体与所述第二晶体管通过所述第二导电体及所述第三导电体电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第三导电体与凸块或键合引线电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第三导电体为与凸块或键合引线接触的电极焊盘。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，

还包括所述第一半导体上的第四导电体，

其中所述第四导电体被用作所述第二晶体管的源电极及漏电极中的一个，

并且所述第四导电体与所述第二导电体电连接。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，

其中所述第二晶体管包含金属氧化物，

并且所述金属氧化物包含铟。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，

其中所述第二晶体管包含金属氧化物，

所述金属氧化物包含铟、锌以及元素M，

并且所述元素M为选自铝、镓、钇、锡、硼、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨、镁中的一种以上。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，

其中所述第一半导体包含选自硅、碳化硅、锗、硅锗、砷化镓、砷化镓铝、磷化铟、硒化锌、氮化镓、氧化镓中的一种以上的材料。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，

还包括所述第一导电体上的第三晶体管，

其中所述第三晶体管包含第三半导体，

所述第三半导体包含与所述第一半导体所包含的选自硅、碳化硅、锗、硅锗、砷化镓、砷化镓铝、磷化铟、硒化锌、氮化镓、氧化镓中的一种以上的材料相同的材料，

并且所述第一导电体被用作所述第三晶体管的源极或漏极。

9.一种蓄电装置，包括：

权利要求1至8中任一项所述的半导体装置；以及

二次电池，

其中所述二次电池的负极与所述第三导电体电连接。

10.一种电池控制电路，包括：

第一层；

第二层；

所述第一层与所述第二层之间的第一绝缘体；以及

第一导电体，

其中，所述第一导电体在所述第一绝缘体所具有的开口部中，

所述第一层包括第一晶体管，

所述第一晶体管包含第一半导体，

所述第一半导体为选自硅、碳化硅、锗、硅锗、砷化镓、砷化镓铝、磷化铟、硒化锌、氮化镓以及氧化镓中的一种以上，

所述第二层包括比较器及逻辑电路，

所述比较器包括第二晶体管，

所述第一晶体管通过所述第一导电体电连接于所述第二晶体管，

所述比较器具有将相应于二次电池的正极电压的信号供应给所述逻辑电路的功能，

并且，所述逻辑电路具有将相应于来自所述比较器的输出的信号供应给所述第一晶体管的栅极的功能。

11.根据权利要求10所述的电池控制电路，

其中所述第一晶体管与所述第二晶体管彼此重叠。