[发明专利]发射辐射的设备和用于制造发射辐射的设备的方法在审
申请号: | 202180016169.4 | 申请日: | 2021-02-04 |
公开(公告)号: | CN115152018A | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 彼得·布里克;克劳斯·弗勒克;梅尔廷·莫里茨 | 申请(专利权)人: | 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01S5/42;H01L33/58;H01L27/15;H01S5/026;H01S5/183 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 支娜;蒋静静 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 辐射 设备 用于 制造 方法 | ||
1.一种发射辐射的设备(100),其具有多个发射器(1)和多个光学元件(2),其中
-所述发射器沿着第一发射器方向(dE1)以第一平均发射器间距AE1设置并且沿着倾斜于或垂直于所述第一发射器方向伸展的第二发射器方向(dE2)以第二平均发射器间距AE2设置;
-所述光学元件沿着第一光学方向(dO1)以第一平均光学间距AO1设置并且沿着倾斜于或垂直于所述第一光学方向伸展的第二光学方向(dO2)以第二平均光学间距AO2设置;并且
-满足以下四个条件中的至少一个条件:
(i)NE1*AE1*cosφ=m2*AO1,
(ii)NE2*AE2*sinφ=m4*AO1,
(iii)NE1*AE1*sinφ=m1*AO2,
(iv)NE2*AE2*cosφ=m3*AO2,
其中
-NE1是沿着所述第一发射器方向的发射器的数量,
-NE2是沿着所述第二发射器方向的发射器的数量,
-φ是在所述第一发射器方向和所述第一光学方向之间的角度,并且
m1、m2、m3和m4分别是因数。
2.根据权利要求1所述的发射辐射的设备,
其中满足条件(i)至(iv)中的至少两个条件。
3.根据权利要求2所述的发射辐射的设备,
其中所述因数m1、m2、m3和m4分别最高以偏差份额不同于与相应的因数最近的整数,其中所述偏差份额的数值在0和0.05之间,其中包含边界值。
4.根据权利要求3所述的发射辐射的设备,
其中满足以下条件中的至少一个条件:
(v)与因数m2最近的整数是与NE1互质的;
(vi)与因数m4最近的整数是与NE2互质的;
(vii)与因数m1最近的整数是与NE2互质的;
(viii)与因数m3相邻的整数是与NE1互质的。
5.根据权利要求4所述的发射辐射的设备,
其中满足条件(v)至(viii)中的至少两个条件。
6.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的设备,
其中NE1和/或NE2是质数。
7.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的设备,
其中适用NE1=NE2。
8.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的设备,
其中适用φ=0°。
9.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的设备,
其中所述发射器设置在矩形栅格中。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的发射辐射的设备,
其中所述发射器以六边形栅格设置。
11.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的设备,
其中沿着第一发射器方向相邻的发射器的间距与所述第一平均发射器间距相差最高20%。
12.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的设备,
其中所述发射器是表面发射的半导体激光器或发光二极管。
13.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的设备,
其中所述光学元件设置在连通的光学复合件(25)中。
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