[发明专利]存储器单元和存储器单元阵列

权利要求书

1.一种存储器单元阵列，包括布置在第一方向和与第一方向不同的第二方向上的多个存储器单元，其中

所述存储器单元中的每个存储器单元包括：

电阻可变型的非易失性存储器元件；以及

选择晶体管，电连接到所述非易失性存储器元件，

所述选择晶体管在半导体层中设置的活性区域中形成，

所述活性区域的至少一部分与在所述半导体层中设置的元件隔离区域接触，以及

所述元件隔离区域的表面位于低于所述活性区域的表面的位置。

2.根据权利要求1所述的存储器单元阵列，其中构成布置在第一方向上的第(2m-1)个(其中m＝1，2，3…)存储器单元的非易失性存储器元件布置在沿第一方向延伸的第1-A虚拟线上，并且构成第2m个存储器单元的非易失性存储器元件布置在沿第一方向延伸并且位于在第二方向上远离所述第1-A虚拟线的位置处的第1-B虚拟线上。

3.根据权利要求1所述的存储器单元阵列，其中所述活性区域的顶表面与所述元件隔离区域的表面之间在高度方向上的差是15nm至35nm。

4.根据权利要求1所述的存储器单元阵列，其中在第二方向上彼此相邻的所述存储器单元通过所述元件隔离区域彼此隔离。

5.根据权利要求4所述的存储器单元阵列，其中在第一方向上彼此相邻的所述存储器单元通过元件隔离晶体管彼此隔离。

6.根据权利要求1所述的存储器单元阵列，其中

所述选择晶体管包括栅极电极、栅极绝缘层、沟道形成区域和源极/漏极区域，

所述选择晶体管的一个源极/漏极区域电连接到所述非易失性存储器元件的一端，

所述选择晶体管的另一个源极/漏极区域电连接到第一导线，

所述非易失性存储器元件的另一端电连接到第二导线，

还用作所述选择晶体管的所述栅极电极的字线在第二方向上延伸，以及

所述选择晶体管的所述沟道形成区域和所述源极/漏极区域布置在第一方向上。

7.根据权利要求6所述的存储器单元阵列，其中

所述选择晶体管的所述另一个源极/漏极区域由布置在第一方向上的第(2m-1)个(其中m＝1，2，3…)存储器单元和第2m个存储器单元共享，以及

所述第2m个存储器单元和第(2m+1)个存储器单元通过元件隔离晶体管彼此隔离。

8.根据权利要求6所述的存储器单元阵列，其中所述选择晶体管的字线从所述活性区域的边缘部分沿着所述活性区域的侧表面在第二方向上延伸，并进一步在所述元件隔离区域上延伸。

9.根据权利要求6所述的存储器单元阵列，其中

当所述活性区域的顶表面与所述元件隔离区域的表面之间在高度方向上的差由ΔH表示，并且所述选择晶体管的所述沟道形成区域在第二方向上的宽度由L_W表示时，满足

0.08≤ΔH/L_W≤0.28。

10.根据权利要求1所述的存储器单元阵列，其中所述元件隔离区域具有浅沟槽结构。

11.根据权利要求1所述的存储器单元阵列，其中所述活性区域的面向所述元件隔离区域的端部变圆。

12.一种存储器单元阵列，包括布置在第一方向和与第一方向不同的第二方向上的多个存储器单元，其中

所述存储器单元中的每个存储器单元包括：

电阻可变型的非易失性存储器元件；以及

选择晶体管，电连接到所述非易失性存储器元件，以及

构成布置在第一方向上的第(2m-1)个(其中m＝1，2，3…)存储器单元的非易失性存储器元件布置在沿第一方向延伸的第1-A虚拟线上，并且构成第2m个存储器单元的非易失性存储器元件布置在沿第一方向延伸并且位于在第二方向上远离所述第1-A虚拟线的位置处的第1-B虚拟线上。