[发明专利]光生成设备在审
申请号: | 202180017502.3 | 申请日: | 2021-02-19 |
公开(公告)号: | CN115151753A | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | M·C·J·M·维森伯格;O·V·弗多温 | 申请(专利权)人: | 昕诺飞控股有限公司 |
主分类号: | F21K9/61 | 分类号: | F21K9/61;F21S10/00;F21V8/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 江鹏飞;陈岚 |
地址: | 荷兰埃*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 生成 设备 | ||
1.一种光生成设备(100),包括光源(10)和片状光导(200),其中:
- 所述光源(10)被配置成产生可见光(11);
- 所述片状光导(200)具有第一边缘(201),所述第一边缘(201)被配置成与所述光源(10)成光接收关系;其中所述片状光导(200)包括光外耦合结构(290);其中所述片状光导(200)和所述光源(10)被配置成使得部分光源光(11)传播通过所述片状光导(200),并且至少部分传播通过所述片状光导(200)的光经由所述光外耦合结构(290)从所述片状光导(200)逸出;
- 所述片状光导(200)包括第一部分(270),所述第一部分(270)在垂直于第一平面(P1)配置的第二平面(P2)中具有第一切线(T1),其中所述第一切线(T1)与所述第一平面(P1)具有第一角度(α1);
- 所述片状光导(200)包括在所述第二平面(P2)中具有第二切线(T2)的第二部分(280),其中所述第二切线(T2)与所述第一平面(P1)具有第二角度(α2);其中所述第二部分(280)包括具有第二平均外耦合结构密度C2的所述光外耦合结构(290),并且其中所述第一部分具有第一平均外耦合结构密度C1,其中0C1/C2≤0.1;和
- 60°≤α1≤90°,0°≤α2≤60°,且α1α2。
2.根据权利要求1所述的光生成设备(100),其中所述外耦合结构由表面变化来限定。
3.根据权利要求1或2所述的光生成设备(100),其中选择所述光源(10)、包括所述光外耦合结构(290)的所述片状光导(200),使得当从任何方向观看时,来自所述第一部分(270)的第一亮度L1等于或低于1000 cd/m2,并且当从至少一个观看方向观看时,来自所述第二部分(280)的第二亮度L2至少为2000 cd/m2。
4.根据前述权利要求中任一项所述的光生成设备(100),其中所述片状光导(200)具有总光导体积V0,其中所述第一部分(270)具有第一体积V1,并且其中所述第二部分(280)具有第二体积V2,其中所述第一部分(270)和所述第二部分(280)中的每一个具有总光导体积V0的至少20%的体积;其中在沿着所述第一部分(270)的任何位置,在所述第二平面(P2)中所述第一部分(270)的第一切线(T1)符合60°≤α1≤90 °,并且其中在沿着所述第二部分(280)的任何位置,在所述第二平面(P2)中所述第二部分(280)的第二切线(T2)符合0°≤α2≤20°。
5.根据前述权利要求中任一项所述的光生成设备(100),其中光外耦合结构(290)包括颗粒(291),其中所述颗粒(291)嵌入所述片状光导(200)的第二部分(280)中,其中所述颗粒(291)具有选自1.5-200μm范围的体积平均颗粒尺寸(D1)。
6.根据权利要求1所述的光生成设备(100),其中所述片状光导(200)具有光导厚度d,其中至少90体积%的颗粒(291)具有最大0.1*d的颗粒尺寸(D1),其中所述颗粒(291)的体积分数选自0.1*(2/3)*D1/d≤≤10*(2/3)*D1/d的范围。
7.根据前述权利要求中任一项所述的光生成设备(100),其中所述片状光导(200)包括第一面(203)和第二面(204),其中所述第二面(204)包括所述光外耦合结构(290)。
8.根据前述权利要求6-7中任一项所述的光生成设备(100),其中所述光外耦合结构(290)由所述第二面(204)的等于或小于10°的表面变化(292)限定,其中一个或多个光外耦合结构(290)具有等于或大于0.5°的最大表面变化(292),并且其中每个表面变化(292)包括远离平均表面弯曲的第一部分和朝向平均表面弯曲的第二部分。
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